The invention relates to a surface cleaning method for evaporation gasket of LED wafer electrode. The method includes: removing the evaporation gasket from the planetary shelf of the evaporation platform, irradiating the gasket surface under a certain energy density pulse laser irradiation, and then drying with hot nitrogen after ultrasonic cleaning with deionized water, the gasket without scratches, particulate matter and oxide film can be obtained. The invention effectively solves the abnormal problems of scratches, cracks and stripping of evaporated wafers when they are put on the shelf, prolongs the service life of gaskets and reduces the cost of products.
【技术实现步骤摘要】
一种LED晶片电极蒸镀垫片的表面清理方法
本专利技术涉及一种LED晶片电极蒸镀垫片的表面清理方法,属于光电子
技术介绍
发光二极管(LED)作为第四代新型冷光源,因其具有节能、环保、安全、使用寿命长、功耗低、发热量低、高亮度、抗振性好、光束集中、维护简便等特点,广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域,随着科技的不断发展,目前LED已可以实现绿光、蓝光、红光、黄光、白光等色系的产业化生产,且市场应用量巨大,普遍被人们所接受。相比于白炽灯和荧光灯,LED具有工作电压低、电光转换效率高、发热量低、体积小、亮度高、寿命长、启动无延时、色彩多样等诸多优点,在科技的不断创新推动下,LED正向着高亮度、大功率方向发展,逐步替代目前的白炽灯和荧光灯。LED芯片生产过程中,电极蒸镀制程是一个重要的环节,芯片的制作完成往往要经过多次、多种金属镀膜已满足工艺、产品要求。在金属电极蒸镀过程中所用的蒸镀垫片分布在整个行星架上,配合弹簧夹起到支撑和固定晶片的作用,因蒸镀上架过程中,晶片与蒸镀垫片之间是直接接触,二者直径大小近似一致,由于电极蒸镀垫片的长期使用磨损以及 ...
【技术保护点】
1.一种LED晶片电极蒸镀垫片的表面清理方法,包括将电极蒸镀垫片从蒸发台行星架上取下,按以下步骤进行:(1)将垫片上表面朝向脉冲激光照射方向放置,用脉冲激光进行均匀辐照,所述脉冲激光能量密度0.5‑5.0J/cm2;(2)将辐照完的垫片置于去离子水中进行超声清洗,超声频率20‑50KHz;(3)将超声清洗后的垫片进行热氮烘干。
【技术特征摘要】
1.一种LED晶片电极蒸镀垫片的表面清理方法,包括将电极蒸镀垫片从蒸发台行星架上取下,按以下步骤进行:(1)将垫片上表面朝向脉冲激光照射方向放置,用脉冲激光进行均匀辐照,所述脉冲激光能量密度0.5-5.0J/cm2;(2)将辐照完的垫片置于去离子水中进行超声清洗,超声频率20-50KHz;(3)将超声清洗后的垫片进行热氮烘干。2.如权利要求1所述的LED晶片电极蒸镀垫片的表面清理方法,其特征在于步骤(1)所述脉冲激光能量密度1.2-4.5J/cm2;优选所述脉冲激光能量密度2.5-3.2J/cm2。3.如权利要求1所述的LED晶片电极蒸镀垫片的表面清理方法,其特征在于步骤(1)所述脉冲激光频率为1-50Hz,所述辐照时间为1...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡夕伦,闫宝华,汤福国,刘琦,肖成峰,
申请(专利权)人:山东浪潮华光光电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:山东,37
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