【技术实现步骤摘要】
硫化锌/氮化镓异质结及其制备方法和应用
本专利技术涉及异质结构制备领域，特别是涉及一种硫化锌/氮化镓异质结及其制备方法和应用。
技术介绍
氮化镓为一种直接带隙宽禁带半导体材料(禁带宽度为3.39eV)，氮化镓、碳化硅等材料被称为第三代半导体材料。由于氮化镓有高的热导率，高熔点，较高的电离度并且硬度大。同时其发光效率高，在紫外、紫、蓝、绿发光器件方面有很大的应用前景。硫化锌也是宽带隙的半导体材料，室温下禁带宽度为3.7eV，是最早发现的合成半导体之一，其在电子、光电子产业中有十分显著的应用。近年来的科学研究表明，异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性，适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等，因此，硫化锌/氮化镓异质结在工业
有重要的应用价值。1997年，E.C.Piquette等第一次生长出硫化锌/氮化镓异质结，但结晶度较差，无法应用。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种制备结晶度较好的硫化锌/氮化镓异质结的制备方法。此外，还提供一种硫化锌/氮化镓异质结及其应用。一种硫化锌/氮化镓异质结的制备方法，包括以下步骤：在气压小于4...
【技术保护点】
1.一种硫化锌/氮化镓异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在气压小于4×10‑6Pa的真空条件下，以硫化锌为蒸发源，采用分子束外延法在氮化镓单晶衬底上生长硫化锌单晶层，得到硫化锌/氮化镓异质结，其中，所述蒸发源的温度为840℃～865℃，所述氮化镓单晶衬底的温度为450℃～465℃。
【技术特征摘要】
1.一种硫化锌/氮化镓异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在气压小于4×10-6Pa的真空条件下，以硫化锌为蒸发源，采用分子束外延法在氮化镓单晶衬底上生长硫化锌单晶层，得到硫化锌/氮化镓异质结，其中，所述蒸发源的温度为840℃～865℃，所述氮化镓单晶衬底的温度为450℃～465℃。2.根据权利要求1所述的硫化锌/氮化镓异质结的制备方法，其特征在于，在所述采用分子束外延法在氮化镓单晶衬底上生长硫化锌单晶层的步骤之前，还包括对所述氮化镓单晶衬底进行除氧的步骤。3.根据权利要求2所述的硫化锌/氮化镓异质结的制备方法，其特征在于，所述对所述氮化镓单晶衬底进行除氧的步骤包括：在气压小于2×10-7Pa的真...
【专利技术属性】
技术研发人员：王干，李红喜，王琳晶，吴鹏阳，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：广东,44
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