【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能
，尤其涉及。
技术介绍
采用P型硅片生产太阳能电池是当今发展的主流。早在20世纪60年代就制备出P型电池片，经过改进生产设计工艺，如金字塔结构，浅结扩散及印制铝背场等旨在减少光损失和增加光生载流子收集效率的措施，从而提高电池片的光电转化效率。单结太阳能电池的理论转换效率为49%，扣除不可避免的复合机制造成的损失及俄歇效应最终所能达到的极限效率约为29%，但受硅片中硼氧复合体的影响目前主流工业 化生产的P型硅太阳电池的实际光电转化效率仍较低，要想在不增加成本的情况下进一步提高已非常困难。于是人们开始把目光投向少数载流子寿命比P型硅高得多的N型硅，并取得了很大的进展。目前N型硅太阳能电池结构比较有代表性主要有Schott Solar公司的N+NP型太阳电池。N型硅太阳电池的平均效率比P型硅的效率要高，但其工艺目前还不成熟；且该N+NP背结电池的光电转化效率仍较低。该N+NP型太阳电池的制备方法复杂，制备成本高。
技术实现思路
本专利技术解决了现有技术中存在的N+NP背结电池的光电转化效率低、制备成本高的技术问题。本专利技术提供了一种太阳能电池...
【技术保护点】
一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池从下至上依次包括金属铝层、SiO2钝化层、N型单晶硅衬底、本征非晶硅层、N+型非晶硅层、透明导电层和银电极；所述的N型单晶硅衬底与N+型非晶硅层形成同型异质结，所述金属铝层与N型单晶硅衬底通过点接触形成P?N结。
【技术特征摘要】
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