圆形硅片的电极面图案结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种圆形硅片的电极面图案结构，包括圆形硅片、以及设置在所述圆形硅片上的主栅线，所述圆形硅片上包括中央区域和外围区域，其中，所述中央区域被包围在所述外围区域中，所述中央区域内设置有中央副栅线，所述外围区域中设置有外围副栅线，所述主栅线连接所述中央副栅线和外围副栅线，所述中央副栅线呈同心的环状分布，所述外围副栅线呈放射状分布。本实用新型专利技术的硅片形状采用圆形，因此不会因切割而造成浪费，并且对圆形硅片的不同区域设置不同形状的副栅线，提高对电荷富集能力的同时降低了银浆的使用量。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池，具体地，涉及圆形硅片的电极面图案结构。
技术介绍
光伏板组件是一种暴露在阳光下便会产生直流电的发电装置，基本上主要以半导体物料(例如硅)制成的固体光伏电池组成，包括P型半导体和N型半导体。P型半导体(P指positive,带正电的)由单晶娃通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴；N型半导体(N指negative,带负电的)由单晶娃通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用 下，空穴是可以移动的，而电离杂质(离子)是固定不动的。N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P型半导体一边的空间电荷是负离子，N型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。当光的频本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种圆形硅片的电极面图案结构，包括圆形硅片、以及设置在所述圆形硅片上的主栅线，其特征在于，所述圆形硅片上包括中央区域和外围区域，其中，所述中央区域被包围在所述外围区域中，所述中央区域内设置有中央副栅线，所述外围区域中设置有外围副栅线，所述主栅线连接所述中央副栅线和外围副栅线，所述中央副栅线呈同心的环状分布，所述外围副栅线呈放射状分布。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱腾达，顾锡淼，
申请(专利权)人：嘉兴优太太阳能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：