圆形硅片的电极面图案结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种圆形硅片的电极面图案结构，包括圆形硅片、以及设置在所述圆形硅片上的主栅线，所述圆形硅片上包括中央区域和外围区域，其中，所述中央区域被包围在所述外围区域中，所述中央区域内设置有中央副栅线，所述外围区域中设置有外围副栅线，所述主栅线连接所述中央副栅线和外围副栅线，所述中央副栅线呈同心的环状分布，所述外围副栅线呈放射状分布。本实用新型专利技术的硅片形状采用圆形，因此不会因切割而造成浪费，并且对圆形硅片的不同区域设置不同形状的副栅线，提高对电荷富集能力的同时降低了银浆的使用量。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池，具体地，涉及圆形硅片的电极面图案结构。
技术介绍
光伏板组件是一种暴露在阳光下便会产生直流电的发电装置，基本上主要以半导体物料(例如硅)制成的固体光伏电池组成，包括P型半导体和N型半导体。P型半导体(P指positive,带正电的)由单晶娃通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内部形成带正电的空穴；N型半导体(N指negative,带负电的)由单晶娃通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用 下，空穴是可以移动的，而电离杂质(离子)是固定不动的。N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P型半导体一边的空间电荷是负离子，N型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。当光的频率超过某一极限频率时，受光照射的太阳能电池板表面立即就会逸出光电子，发生光电效应。当在太阳能电池板外面加一个闭合电路，加上正向电源，这些逸出的光电子全部到达阳极便形成光电流。现有技术中的一般采用矩形的硅片生产太阳能电池组件，而矩形的硅片是从圆形硅片上切割形成的，因此会造成硅片材料的浪费，并且圆形硅片中央区域和外围区域对栅线密度的需求也是不同的，现有的栅线均匀分布，因此不能对电荷进行充分的收集，且在电荷较少区域会造成银浆的浪费，导致成本较高。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本技术的目的是提供一种圆形硅片的电极面图案结构。根据本技术的一个方面，提供一种圆形硅片的电极面图案结构，包括圆形硅片、以及设置在所述圆形硅片上的主栅线，所述圆形硅片上包括中央区域和外围区域，其中，所述中央区域被包围在所述外围区域中，所述中央区域内设置有中央副栅线，所述外围区域中设置有外围副栅线，所述主栅线连接所述中央副栅线和外围副栅线，所述中央副栅线呈同心的环状分布，所述外围副栅线呈放射状分布。优选地，所述中央区域为与所述圆形硅片同心的圆形区域。优选地，所述主栅线的数量为两条，所述中央区域的直径大于两条所述主栅线之间的间距，所述中央副栅线之间通过辅助栅线互相连接。优选地，所述辅助栅线的宽度大于所述中央副栅线的宽度。优选地，所述主栅线的数量为三条，位于中间的主栅线通过所述圆形硅片的中心。优选地，还包括外框栅线，其中，所述外框栅线呈环状。优选地，所述外框栅线位于所述外围区域内。优选地，所述外框栅线沿所述硅片的边缘延伸。本技术的硅片形状采用圆形，因此不会因切割而造成浪费，并且对圆形硅片的不同区域设置不同形状的副栅线，提高对电荷富集能力的同时降低了银浆的使用量。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显图I示出根据本技术的第一实施例的圆形硅片的电极面图案结构的结构示意图；图2示出根据本技术的第二实施例的圆形硅片的电极面图案结构的结构示意图。具体实施方式图I示出根据本技术的第一实施例的圆形硅片的电极面图案结构的结构示意图，具体地，根据本技术提供的圆形硅片的电极面图案结构，包括圆形硅片I、以及设置在所述圆形硅片I上的主栅线2，所述圆形硅片上包括中央区域5和外围区域4，其中，所述中央区域5被包围在所述外围区域4中，所述中央区域内设置有中央副栅线3，所述外围区域中设置有外围副栅线6，所述主栅线2连接所述中央副栅线3和外围副栅线6。更为具体地，如图I所示，所述中央副栅线3呈同心的环状分布，所述外围副栅线6呈放射状分布，所述中央区域5为与所述圆形硅片I同心的圆形区域。优选地，所述主栅线2的数量为两条，所述中央区域的直径大于两条所述主栅线之间的间距，所述中央副栅线之间通过辅助栅线8互相连接。其中，所述辅助栅线8的宽度大于所述中央副栅线的宽度。进一步地，根据本技术提供的圆形硅片的电极面图案结构还包括外框栅线9，其中，所述外框栅线9呈环状。优选地，所述外框栅线位于所述外围区域内。优选地，所述外框栅线沿所述硅片的边缘延伸。本技术的硅片形状采用圆形，因此不会因切割而造成浪费，并且对圆形硅片的不同区域设置不同形状的副栅线，提高对电荷富集能力的同时降低了银浆的使用量。图2示出根据本技术的第二实施例的圆形硅片的电极面图案结构的结构示意图，本领域技术人员可以将本实施例理解为图I所示实施例的一个变化例，具体地，本实施例与图I所示实施例的区别之处在于，在本实施例中，所述主栅线2的数量为三条，如图2所示，位于中间的主栅线通过所述圆形硅片I的中心。以上对本技术的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本技术并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本技术的实质内容。权利要求1.一种圆形硅片的电极面图案结构，包括圆形硅片、以及设置在所述圆形硅片上的主栅线，其特征在于，所述圆形硅片上包括中央区域和外围区域，其中，所述中央区域被包围在所述外围区域中，所述中央区域内设置有中央副栅线，所述外围区域中设置有外围副栅线，所述主栅线连接所述中央副栅线和外围副栅线，所述中央副栅线呈同心的环状分布，所述外围副栅线呈放射状分布。2.根据权利要求I所述的圆形硅片的电极面图案结构，其特征在于，所述中央区域为与所述圆形硅片同心的圆形区域。3.根据权利要求2所述的圆形硅片的电极面图案结构，其特征在于，所述主栅线的数量为两条，所述中央区域的直径大于两条所述主栅线之间的间距，所述中央副栅线之间通过辅助栅线互相连接。4.根据权利要求3所述的圆形硅片的电极面图案结构，其特征在于，所述辅助栅线的宽度大于所述中央副栅线的宽度。5.根据权利要求2所述的圆形硅片的电极面图案结构，其特征在于，所述主栅线的数量为三条，位于中间的主栅线通过所述圆形硅片的中心。6.根据权利要求I所述的圆形硅片的电极面图案结构，其特征在于，还包括外框栅线，其中，所述外框栅线呈环状。7.根据权利要求6所述的圆形硅片的电极面图案结构，其特征在于，所述外框栅线位于所述外围区域内。8.根据权利要求6所述的圆形硅片的电极面图案结构，其特征在于，所述外框栅线沿所述硅片的边缘延伸。专利摘要本技术提供一种圆形硅片的电极面图案结构，包括圆形硅片、以及设置在所述圆形硅片上的主栅线，所述圆形硅片上包括中央区域和外围区域，其中，所述中央区域被包围在所述外围区域中，所述中央区域内设置有中央副栅线，所述外围区域中设置有外围副栅线，所述主栅线连接所述中央副栅线和外围副栅线，所述中央副栅线呈同心的环状分布，所述外围副栅线呈放射状分布。本技术的硅片形状采用圆形，因此不会因切割而造成浪费，并且对圆形硅片的不同区域设置不同形状的副栅线，提高对电荷富集能力的同时降低了银浆的使用量。文档编号H01L31/0224GK202721144SQ20122024568公开日2013年2月6日 申请日期2012年5月25日 优先权本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种圆形硅片的电极面图案结构，包括圆形硅片、以及设置在所述圆形硅片上的主栅线，其特征在于，所述圆形硅片上包括中央区域和外围区域，其中，所述中央区域被包围在所述外围区域中，所述中央区域内设置有中央副栅线，所述外围区域中设置有外围副栅线，所述主栅线连接所述中央副栅线和外围副栅线，所述中央副栅线呈同心的环状分布，所述外围副栅线呈放射状分布。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱腾达，顾锡淼，
申请(专利权)人：嘉兴优太太阳能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：