像素电极结构制造技术

本发明专利技术提供一种像素电极结构，通过将位于第一、第二、第三、第四电极中间的“十”字形区域的电极设计成数个间隔分布且呈V形的子电极，使得该数个子电极之间形成狭缝，从而调整位于该“十”字形区域的液晶分子的导向，使其与对应于所述第一、第二、第三、第四电极区域的液晶分子导向一致，从而减少液晶显示面板的每个子像素中的“十”字形暗纹，增大透光区域，提升产品的穿透率和显示品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素电极结构。
技术介绍
主动式薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LCD，TFT-LCD)近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言，可分为三种类型，分别是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型，平面转换(In-Plane Switching, IPS)型、垂直配向(Vertical Alignment,VA)型、及高垂直配向(High Vertical Alignment，HVA)型。通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。其中，液晶面板的结构主要是由一薄膜晶体管阵列基板(Thin FilmTransistor Array Substrate,TFT Array Substrate)、一彩色滤光片基板(Color FilterSubstrate，CF Substrate)、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Cryst本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电极结构，其特征在于，包括第一、第二、第三、第四电极(3、4、5、6)、连接在第一与第二电极(3、4)之间的第五电极(21)、连接在第一与第三电极(3、5)之间的第六电极(12)、连接在第二与第四电极(4、6)之间的第七电极(11)、连接在第三与第四电极(5、6)之间的第八电极(22)、及位于第一至第八电极(3、4、5、6、21、12、11、22)围起的中间位置的第九电极(2)；所述第五至第八电极分别包括数个平行且间隔设置的第一、第二、第三、第四子电极(211、121、111、221)，所述第一、第二、第三、第四子电极(211、121、111、221)均呈V形，且所述第一、第二、第三、...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨一峰，程全，张超，黎美楠，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44