激光掺杂选择性发射极式太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术涉及一种激光掺杂选择性发射极式太阳能电池，包括有电池本体，该电池本体为硅片层，其特点是：硅片层底部分布有正电极层，在硅片层顶部设置有扩散掺杂混合层，且扩散掺杂混合层上分布有背电极。由此，本成品硅片扩散方阻较低，方阻均匀性好。同时，本实用新型专利技术在不影响金半接触的前提下提高非金属覆盖区域表面钝化质量，降低表面和发射层复合，提高短波光子响应，进而提升电池性能。再者，本实用新型专利技术整体需要应用保护掩膜，从而节省耗材、设备等投入，易于推广。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种，尤其涉及一种激光掺杂选择性发射极式太阳能电池。
技术介绍
太阳电池的发展方向是低成本、高效率，选择性发射极太阳电池是一种实现大规模生产的高效率新型结构电池。选择性扩散太阳电池主要特点是金属化区域高掺杂浓度，光照区域低掺杂浓度，目的是在不降低金半接触质量的前提下提高表面钝化质量，减小表面复合和发射层复合，提高蓝光波段的光子响应，提高电池性能。选择性扩散太阳电池具有良好的金半欧姆接触；金属化区域浓扩散区结深大，烧结过程中金属等杂质不易进入耗尽区形成深能级，反向漏电小，并联电阻高；金属化高复合区域和光照区域分离，载流子复合低；光照区域掺杂浓度·低，短波响应好，短路电流密度高；横向高低结前场作用明显，有利于光生载流子收集等优点。据此，选择性发射极太阳电池要求金属栅线间的低掺杂浓度区表面浓度低，以获得更好的表面钝化效果；金属栅线下的高掺杂浓度区满足金半接触要求。选择性发射极结构需要丝网印刷技术进行精确套印，但由于现有丝网印刷设备、丝网印刷网板、套印方式等技术限制，通常有占整个硅片面积5-20%的高掺杂浓度区域不能被金属栅线完全覆盖而成为受光照区域，高掺杂浓度区不可避免的表面死本文档来自技高网...

【技术保护点】
激光掺杂选择性发射极式太阳能电池，包括有电池本体，所述的电池本体为硅片层，其特征在于：所述的硅片层底部分布有正电极层，所述的硅片层顶部设置有扩散掺杂混合层，所述的扩散掺杂混合层上分布有背电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏青竹，陆俊宇，黄书斌，汪燕玲，
申请(专利权)人：中利腾晖光伏科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：