一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池。该太阳能电池解决了目前电池易向薄膜中扩散杂质且转化率降低的问题。所述的多晶硅薄膜太阳能电池包括透明衬底、N型多晶硅薄膜、上电极、背电极和钝化层，N型多晶硅薄膜上制有p-n结，透明衬底设在背电极上，透明衬底上设有钝化层，在上电极和N型多晶硅薄膜之间设有N+掺杂层。本实用新型专利技术在晶硅薄膜的膜面使用钝化层，可以阻挡衬底材料向多晶硅薄膜扩散，钝化多晶硅薄膜表面的化学活性，减小载流子在薄膜表面的复合率，从而增加转换效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及硅太阳能电池，特别是指一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池。
技术介绍
光伏行业的相关技术人员为了提高太阳能电池的转化效率，在传统结构的基础上做了大量的技术创新及改进，例如已经研发出一种结构包括表层、缓冲层、含至少一个P-N结的光吸收区、过渡层、P或N型区的集电栅和电极的非晶硅薄膜太阳能电池。这是一种受光面可以得到充分利用的结构，同时由于底部P-N结的集栅型排布，增加了 P-N结的有效长度，从而提高了薄膜太阳能电池的转化率，然而其结构过于复杂，重复性不好；另一种利用N型晶体硅制成的单面电极太阳能电池，具有合理的结构，较高的转化效率，远远优于常规晶硅太阳能电池。然而由于硅片的脆性，考虑到产品的良率，在大规模生产中也不容易达到最理想的结构尺寸。·
技术实现思路
针对上述已有技术存在的问题，本技术的目的是提供了一种不易向薄膜中扩散杂质且能增加转化率的高转化率多晶硅薄膜太阳能电池。本技术为解决上述技术问题采取的技术方案是一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池包括透明衬底、N型多晶硅薄膜、上电极、背电极和钝化层，N型多晶硅薄膜上制有P-n结，透明衬底设在背电极上，透明衬底上设有钝化层，在上电极和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于：包括透明衬底(1)、N型多晶硅薄膜(2)、上电极(3)、背电极(4)和钝化层(5)，N型多晶硅薄膜(2)上制有p？n结，透明衬底(1)设在背电极(4)上，透明衬底(1)上设有钝化层(5)，在上电极(3)和N型多晶硅薄膜(2)之间设有N+掺杂层(6)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王桂奋，谢德兵，王迎春，
申请(专利权)人：金坛正信光伏电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：