本实用新型专利技术公开了一种硅薄膜太阳电池，其特征在于，在n型晶体硅片的两面分别沉积本征多晶硅薄膜，在正面本征多晶硅薄膜上沉积p型氢化非晶硅薄膜，在背面本征多晶硅薄膜上沉积n+型氢化非晶硅薄膜，再在两面分别沉积FTO透明导电薄膜，然后在正面、背面丝网印刷金属电极。本实用新型专利技术可增强界面的钝化效果，降低缺陷态密度和暗电流，提高载流子迁移率，增加对太阳光的吸收范围，提高电池的转换效率和稳定性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种硅薄膜太阳电池的结构。
技术介绍
HIT(hetero junction with intrinsic thin-layer)异质结本征薄膜太阳能电池最早是由日本三洋公司提出的，它是在晶体硅与a_Si:H薄膜之间沉积一层很薄的本征非晶硅薄膜(大约几个纳米)，一方面由于a_Si:H薄膜的存在使得本征非晶硅薄膜的钝化作用下降，衬底中的少子穿过本征非晶硅薄膜而和a_Si:H薄膜中的缺陷态相互作用，形成载流子的复合通道，使硅薄膜电池的暗电流增加；另一方面由于a_Si:H薄膜和晶体硅中杂质的扩散，使得如此薄的本征非晶硅薄膜对反向漏电流的抑制效果不明显，影响硅薄膜电池的转换效率。本技术的目的是为了提高硅薄膜太阳电池的转换效率。
技术实现思路
为解决前述提高硅薄膜太阳电池转换效率的问题，本技术提供一种硅薄膜太阳电池，该电池的结构是在η型晶体硅片的两面分别沉积本征多晶硅薄膜，在正面本征多晶硅薄膜上沉积P型氢化非晶硅薄膜，在背面本征多晶硅薄膜上沉积η+型氢化非晶硅薄膜，再在两面分别沉积FTO透明导电薄膜，然后在正面、背面丝网印刷金属电极。本技术的优点是用本征多晶硅薄膜(ipoly-si)取代本征非晶硅薄膜(i a -si)。本征多晶硅薄膜(i poly-si)相对于本征非晶娃薄膜(i a -si)钝化效果好,缺陷态密度低,暗电流低，迁移率高，非晶硅薄膜/多晶硅薄膜的叠层结构更有利于充分吸收太阳光，提高硅薄膜太阳电池转换效率，且使用多晶硅薄膜，电池的稳定性也得到了一定程度的改善。附图说明附图是本技术的层结构示意图。附图标号说明I—是Al金属栅线正电极；2—是正面掺氟氧化锡透明导电薄膜(FTO)；3—是P型氢化非晶硅薄膜(P a -si:H)；4—是正面的本征多晶硅薄膜(i poly-si)；5—是N型基底层晶体硅片(n c-si);6—是背面的本征多晶硅薄膜(i poly-si)；7—是N型重掺杂氢化非晶硅薄膜(η+ a -si:H)；8—是背面的掺氟氧化锡透明导电薄膜(FTO)；9一是背面的Al金属栅线负电极。具体实施方式本技术按附图各层结构，它包括从下至上依次分布的Al金属栅线负电极9、背面的掺氟氧化锡透明导电薄膜8、N型重掺杂氢化非晶硅薄膜7、背面的本征多晶硅薄膜6、N型基底层晶体硅片5、正面的本征多晶硅薄膜4、P型氢化非晶硅薄膜3、正面掺氟氧化锡透明导电薄膜2、Al金属栅线正电极I。本实施例中，沉积正面和背面的本征多晶硅薄膜均采用喷涂法、丝网印刷法、化学气相沉积法或物理气相沉积法中的ー种，厚度均为5-100 u m ;沉积P型氢化非晶硅薄膜和N型重掺杂氢化非晶硅薄膜均采用等离子体增强化学气相沉积法，厚度均为5-25nm ;沉积正面和背面的掺氟氧化锡透明导电薄米用超声喷雾法、磁控溅射法中的ー种，厚度均为50-200nm。·权利要求1.一种硅薄膜太阳电池，其特征是，在η型基底晶体硅片的两面分别沉积本征多晶硅 薄膜，在正面本征多晶硅薄膜上沉积P型氢化非晶硅薄膜，在背面本征多晶硅薄膜上沉积η+型氢化非晶硅薄膜。专利摘要本技术公开了一种硅薄膜太阳电池，其特征在于，在n型晶体硅片的两面分别沉积本征多晶硅薄膜，在正面本征多晶硅薄膜上沉积p型氢化非晶硅薄膜，在背面本征多晶硅薄膜上沉积n+型氢化非晶硅薄膜，再在两面分别沉积FTO透明导电薄膜，然后在正面、背面丝网印刷金属电极。本技术可增强界面的钝化效果，降低缺陷态密度和暗电流，提高载流子迁移率，增加对太阳光的吸收范围，提高电池的转换效率和稳定性。文档编号H01L31/0368GK202651132SQ201220102349公开日2013年1月2日 申请日期2012年3月19日 优先权日2012年3月19日专利技术者罗云荣, 羊亿 申请人:湖南师范大学本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种硅薄膜太阳电池，其特征是，在n型基底晶体硅片的两面分别沉积本征多晶硅薄膜，在正面本征多晶硅薄膜上沉积p型氢化非晶硅薄膜，在背面本征多晶硅薄膜上沉积n+型氢化非晶硅薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗云荣，羊亿，
申请(专利权)人：湖南师范大学，
类型：实用新型
国别省市：
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