【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种硅薄膜太阳电池的结构。
技术介绍
HIT(hetero junction with intrinsic thin-layer)异质结本征薄膜太阳能电池最早是由日本三洋公司提出的，它是在晶体硅与a_Si:H薄膜之间沉积一层很薄的本征非晶硅薄膜(大约几个纳米)，一方面由于a_Si:H薄膜的存在使得本征非晶硅薄膜的钝化作用下降，衬底中的少子穿过本征非晶硅薄膜而和a_Si:H薄膜中的缺陷态相互作用，形成载流子的复合通道，使硅薄膜电池的暗电流增加；另一方面由于a_Si:H薄膜和晶体硅中杂质的扩散，使得如此薄的本征非晶硅薄膜对反向漏电流的抑制效果不明显，影响硅薄膜电池的转换效率。本技术的目的是为了提高硅薄膜太阳电池的转换效率。
技术实现思路
为解决前述提高硅薄膜太阳电池转换效率的问题，本技术提供一种硅薄膜太阳电池，该电池的结构是在η型晶体硅片的两面分别沉积本征多晶硅薄膜，在正面本征多晶硅薄膜上沉积P型氢化非晶硅薄膜，在背面本征多晶硅薄膜上沉积η+型氢化非晶硅薄膜，再在两面分别沉积FTO透明导电薄膜，然后在正面、背面丝网印刷金属电极。本技术的优点是用本征多晶硅薄膜...
【技术保护点】
一种硅薄膜太阳电池，其特征是，在n型基底晶体硅片的两面分别沉积本征多晶硅薄膜，在正面本征多晶硅薄膜上沉积p型氢化非晶硅薄膜，在背面本征多晶硅薄膜上沉积n+型氢化非晶硅薄膜。
【技术特征摘要】
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