一种非晶硅薄膜-P型晶体硅叠层太阳电池及制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种非晶硅薄膜-P型晶体硅叠层太阳电池及制造工艺，包括材质为P型晶体硅的基片，在基片背面依次沉积有非晶硅本征层、N型微晶硅层，基片的正面依次设有第一本征层、P型微晶硅层、非晶二氧化硅层、N型非晶硅层、第二本征层以及P型非晶硅层，N型微晶硅层和P型非晶硅层的外表面上分别设有透明导电膜，在所述透明导电膜上分别设有银浆层。本发明专利技术采用非晶硅薄膜和晶体硅电池的内部串联，两者开压相加，进一步地提高了该结构电池的开路电压。P型晶体硅原料易得，有利于降低生产成本；光线到达非晶二氧化硅层界面时，可以反射回一部分光，重新被本征层吸收，从而可以减少本征层的厚度，降低光致衰退效应，提高电池的转化效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳电池
，尤其是一种非晶硅薄膜-P型晶体硅叠层太阳电池及制造工艺。
技术介绍
非晶硅薄膜电池具有开压高，但短路电流小的特点，而若要增加短路电流，则必须增加本征层的厚度，导致一方面增加了工艺成本，另一方面由于非晶硅薄膜电池特有的光致衰退效应，电池效率将会降低。而晶硅电池由于晶体特有的完整性，一般来说，短路电流相对较大。但由于晶硅的禁带宽度相对薄膜硅来说较小，因此开压较低。因此有必要兼顾非晶硅薄膜电池和晶体硅电池的优点，尽量地提高开路电压和禁带宽度的不同，充分吸收太阳光谱的能量
技术实现思路
·本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术中之不足，提供一种非晶硅薄膜-P型晶体硅叠层太阳电池及制造工艺，以提高开路电压和禁带宽度的不同，充分吸收太阳光线的能量，减低成本，提高电池转化率。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种非晶硅薄膜-P型晶体硅叠层太阳电池，包括材质为P型晶体硅的基片，所述基片的背面依次设有非晶硅本征层、N型微晶硅层，基片的正面依次设有第一本征层、P型微晶硅层、非晶二氧化硅层、N型非晶硅层、第二本征层以及P型非晶硅层，N型微晶硅层和P型非晶硅层的外表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非晶硅薄膜？P型晶体硅叠层太阳电池，包括材质为P型晶体硅的基片（1），其特征是：所述基片（1）的背面依次设有非晶硅本征层（2）、N型微晶硅层（3），基片（1）的正面依次设有第一本征层（4）、P型微晶硅层（5）、非晶二氧化硅层（6）、N型非晶硅层（7）、第二本征层（8）以及P型非晶硅层（9），N型微晶硅层（3）和P型非晶硅层（9）的外表面上分别设有透明导电膜（10），在所述透明导电膜（10）上分别设有银浆层（11）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：包健，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：