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本发明公开了一种非晶硅薄膜-P型晶体硅叠层太阳电池及制造工艺，包括材质为P型晶体硅的基片，在基片背面依次沉积有非晶硅本征层、N型微晶硅层，基片的正面依次设有第一本征层、P型微晶硅层、非晶二氧化硅层、N型非晶硅层、第二本征层以及P型非晶硅层，...
该专利属于常州天合光能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州天合光能有限公司授权不得商用。

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