一种光子晶体非晶硅薄膜太阳电池制造技术

一种光子晶体非晶硅薄膜太阳电池，由衬底、一维光子晶体背反射器、背电极、n型氢化非晶硅、本征氢化非晶硅、p型氢化非晶硅和前电极组成叠层结构，其中一维光子晶体背反射器是由低折射率介质和高折射率介质周期性交叠构成，周期数大于等于两个周期，背电极和前电极为高透过、高电导、低吸收的透明导电膜并作为电流引出电极。本发明专利技术的优点是：该光子晶体非晶硅薄膜太阳电池，克服了采用Ag背电极成本高，采用其他金属背电极反射率不够的问题，保证高效率的同时降低原材料成本。同时还克服了采用金属背电极引入的一系列问题，有助于提高电池开路电压，提升电池稳定性。因与电池工艺兼容，还有助于降低设备投资和厂房面积，提升产能。

【技术实现步骤摘要】
一种光子晶体非晶硅薄膜太阳电池
本专利技术涉及非晶硅薄膜太阳电池，特别是一种光子晶体非晶硅薄膜太阳电池。
技术介绍
太阳能是用之不竭的可再生能源，对环境保护具有十分重要的意义，太阳能的有效利用已成为人类的共识。太阳能的利用，尤其是光伏发电技术，是最有希望的可再生能源技术。非晶硅薄膜太阳电池有着耗能低、原材料丰富无污染、易于大面积生产等优点，已经实现产业化，产品广泛应用于地面光伏电站、光伏建筑一体化、屋顶电站等领域。非晶硅薄膜太阳电池太阳光谱吸收范围为400-750nm。单结非晶硅电池厚度在200-400nm之间，在这个厚度范围之内，太阳光谱中只有小于500nm的光才能被电池吸收殆尽，而介于500-750nm的光将不能被电池完全吸收，有一部分从电池中透过造成损失，使得电池效率下降。为了提高效率，实验室中通常在电池背后沉积Ag作为背电极，将到达电池底部的光反射回电池内部，增加电池吸收，从而提高效率。Ag背电极具有反射率高、导电性好的优点，其在非晶硅电池光谱吸收范围内的平均反射率高达95%以上。但Ag是贵重金属，若在产业化生产中使用Ag，将大幅提升生产成本。为此，在产业化生产中，通常采用成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光子晶体非晶硅薄膜太阳电池，其特征在于：由衬底、一维光子晶体背反射器、背电极、n型氢化非晶硅、本征氢化非晶硅、p型氢化非晶硅和前电极组成叠层结构，其中一维光子晶体背反射器是由低折射率介质和高折射率介质周期性交叠构成，周期数大于等于两个整数周期，背电极和前电极为高透过、高电导、低吸收的透明导电膜并作为电流引出电极。

【技术特征摘要】
1.一种光子晶体非晶硅薄膜太阳电池，其特征在于：由衬底、一维光子晶体背反射器、背电极、n型氢化非晶硅、本征氢化非晶硅、p型氢化非晶硅和前电极组成叠层结构，其中一维光子晶体背反射器是由低折射率介质和高折射率介质周期性交叠构成，周期数大于等于两个整数周期，背电极和前电极为高透过、高电导、低吸收的透明导电膜并作为电流引出电极；所述一维光子晶体背反射器中的低折射率介质为氧化硅膜，氧化硅膜采用RF-PECVD制备，气源采用硅烷、氢气和二氧化碳，折射率为1.4-2.0，厚度为50...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯国付，陈培专，张建军，倪牮，张晓丹，赵颖，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：