用于硅基薄膜太阳电池的禁带可调式光子晶体背反射器制造技术

一种用于硅基薄膜太阳电池的禁带可调式光子晶体背反射器，由低折射率介质和高折射率介质周期性交叠构成，通过调整周期厚度，可在500-750nm、650-1100nm、700-1200nm波段分别取得96%、99%、99%的平均反射率，分别适合于用作单结非晶硅薄膜太阳电池、双结非晶硅/微晶硅和三结非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层太阳电池的背反射器。本发明专利技术的优点是：采用光子晶体作为硅基薄膜太阳电池背反射器，克服了采用Ag背反射器成本高和其他金属背反射器反射率不够的问题，保证了高效率和降低原材料成本，有助于提高电池开路电压，提升电池稳定性；与电池工艺兼容，有助于降低设备投资和厂房面积，提升产能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于硅基薄膜太阳电池的禁带可调式光子晶体背反射器，其特征在于：由衬底和一维光子晶体组成叠层结构，其中一维光子晶体背反射器是由高折射率介质和低折射率介质周期性交叠构成，周期数大于等于2个整数周期，周期厚度为100?1200nm，通过改变周期厚度，可得到在不同波长范围内的禁带；所述低折射率介质折射率介于1.4?2.0，高折射率介质折射率介于3.0?5.0。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：侯国付，陈培专，张建军，倪牮，张晓丹，赵颖，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：