一种背发射极异质结太阳电池及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种背发射极异质结太阳电池及制备方法，包括选用厚度为180～220μm的单晶硅片作为衬底的基片层，所述基体层背面从内到外依次具有厚度为3～8nm的非晶硅薄膜本征层、厚度为15～25nm的发射极层，厚度为100～140nm的导电介质层以及银浆层，基片层的正面从内到外依次具有厚度为3～8nm的非晶硅薄膜本征层、厚度为5～15nm重掺杂层、厚度为80～120nm的导电薄膜层以及金属电极。本发明专利技术采用在太阳电池背面制备发射极，正面通过重掺杂层结构接受光照，从而避免了发射极对光的直接吸收，可以适当增加发射极的厚度，有助于增加电池内建势，提高电池的开路电压，有效改善电池的整体性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳电池
，尤其是。
技术介绍
硅异质结太阳电池是在晶硅衬底上沉积非晶硅薄膜作为发射极，发射极的厚度直接决定了电池性能的好坏，增加发射极厚度有助于增加电池内建场，提高载流子输运效率。但是光管理也是太阳电池考虑的重要因素之一，较厚的发射极对入射光的吸收较多，使得进入电池有效吸收的光较少，不利于电池效率的提升，因此，在发射极厚度与内建电势和光效率利用之间，有必要在既增加电池内电场、又避免发射极对光的过多吸收上达到平衡，从而有效提闻太阳电池的整体性能。·
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术中之不足，提供，在发射极较厚的情况下，既增加电池内建电势，又避免发射极对光的过多吸收，提高电池的开路电压，有效改善电池整体性能。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种背发射极异质结太阳电池，包括选用厚度为180 220 μ m的单晶硅片作为衬底的基片层，所述基体层背面从内到外依次具有厚度为3 8nm的非晶娃薄膜本征层、厚度为15 25nm的发射极层，厚度为100 140nm的导电介质层以及银浆层，基片层的正面从内到外依次具有厚度为3 Snm的非晶硅薄膜本征层、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背发射极异质结太阳电池，包括选用厚度为180～220μm的单晶硅片作为衬底的基片层（1），其特征是：所述基体层（1）背面从内到外依次具有厚度为3～8nm的非晶硅薄膜本征层（2）、厚度为15～25nm的发射极层（3），厚度为100～140nm的导电介质层（4）以及银浆层（5），基片层（1）的正面从内到外依次具有厚度为3～8nm的非晶硅薄膜本征层（2）、厚度为5～15nm重掺杂层（6）、厚度为80～120nm的导电薄膜层（7）以及金属电极（8）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭万武，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：