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本发明公开了一种背发射极异质结太阳电池及制备方法，包括选用厚度为180～220μm的单晶硅片作为衬底的基片层，所述基体层背面从内到外依次具有厚度为3～8nm的非晶硅薄膜本征层、厚度为15～25nm的发射极层，厚度为100～140nm的导电介...
该专利属于常州天合光能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州天合光能有限公司授权不得商用。

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