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本实用新型公开了一种硅薄膜太阳电池，其特征在于，在n型晶体硅片的两面分别沉积本征多晶硅薄膜，在正面本征多晶硅薄膜上沉积p型氢化非晶硅薄膜，在背面本征多晶硅薄膜上沉积n+型氢化非晶硅薄膜，再在两面分别沉积FTO透明导电薄膜，然后在正面、背面丝...
该专利属于湖南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过湖南师范大学授权不得商用。

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