【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜太阳能电池
，特别是一种具有黄铜矿结构的铜铟镓硒(硫)薄膜电池的过渡层及其制备方法。
技术介绍
随着全球气候变暖、生态环境恶化和常规能源的短缺，越来越多的国家开始大力发展太阳能利用技术。太阳能光伏发电是零排放的清洁能源，具有安全可靠、无噪音、无污染、资源取之不尽、建设周期短、使用寿命长等优势，因而备受关注。铜铟镓硒(CIGS)是一种直接带隙的P型半导体材料，其吸收系数高达105/cm，2um厚的铜铟镓硒薄膜就可吸收90%以上的太阳光。CIGS薄膜的带隙从I. 04eV到I. 67eV范围内连续可调，可实现与太阳光谱的最佳匹配。铜铟镓硒薄膜太阳电池作为新一代的薄膜电池具有成本低、性能稳定、抗辐射 能力强、弱光也能发电等优点，其转换效率在薄膜太阳能电池中是最高的，可接近20%的转化率，因此日本、德国、美国等国家都投入巨资进行研究和产业化。太阳能在环境上是清洁的并且从某种角度上已经成功，但是，在使其进入普通百姓的家庭之前，仍有许多问题有待解决。例如，单晶硅太阳能电池能够将光能转化为电能，然而，单晶硅材料是比较昂贵的。在使用薄膜技术制造太阳能电池...
【技术保护点】
一种CIGS基薄膜光伏电池的过渡层，其特征在于：所述的过渡层设于钠钙玻璃基板表面和钼层之间，过渡层由硅、锆和钛中的至少一种元素与钼组成的至少两种元素的氧化物、氮化物或氮氧化物组成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李艺明，田宏波，
申请(专利权)人：厦门神科太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：
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