双色红外探测材料的制备方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种双色红外探测材料的制备方法及系统，该方法制备双色红外探测材料需要的层数少，制备工艺简单。其制备方法包括：对InSb晶体先进行前期处理操作，获得外延级（211）晶向的InSb衬底；对所述（211）晶向的InSb衬底进行处理，获得HgCdTe分子束外延所要求的表面态；在所述（211）晶向的InSb衬底上进行CdTe缓冲层的生长；然后再进行HgCdTe薄膜的生长；在保护气体条件下，将生长后的所述HgCdTe薄膜加热到预定温度200-300℃，保温时间为16-30小时，降温得到双色红外探测材料；双色红外探测材料的制备系统包括：处理设备、分子束外延系统和热处理设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信
，尤其涉及一种双色红外探测材料的制备方法及系统。
技术介绍
红外探测芯片可广泛应用于侦察、资源调查、天文观测等军事和民事领域。双/多色红外探测芯片由于可实现同时进行两个或多个波段红外辐射的探测，具有更好的目标探测和识别能力，属于高性三代红外焦平面器件，是各种高端军用或民用系统的核心器件。目前双色红外探测芯片主要采用碲镉汞薄膜材料，该材料基于碲锌镉衬底或其它替代衬底，采用分子束外延方法制备特定组分的多层碲镉汞薄膜，进而制备双色红外探测芯片。现有技术的缺点制备碲镉汞薄膜的层数多，制备的工艺复杂。
技术实现思路
鉴于上述的分析，本专利技术旨在提供双色红外探测材料制备方法，以解决上述工艺复杂的问题。本专利技术的目的主要是通过以下技术方案实现的双色红外探测材料的制备方法，该材料包括InSb和HgCdTe，该材料的制备方法包括以下步骤对InSb晶体先进行切、磨和抛光处理操作，获得外延级的(211)晶向的InSb衬底；对所述(211)晶向InSb衬底进行处理，获得HgCdTe分子束外延所要求的表面态；在所述(211)晶向InSb衬底上进行CdTe缓冲层的生长； 进行HgCd本文档来自技高网...

【技术保护点】
双色红外探测材料的制备方法，其特征在于，制备方法包括：对InSb晶体先进行切、磨和抛光处理操作，获得外延级（211）晶向的InSb衬底；对所述（211）晶向的InSb衬底进行处理，获得HgCdTe分子束外延所要求的表面态；在所述（211）晶向的InSb衬底上进行CdTe缓冲层的生长；然后再进行HgCdTe薄膜的生长；在保护气体条件下，将生长后的所述HgCdTe薄膜加热到预定温度200？300℃，保温时间为16？30小时，降温得到双色红外探测材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周立庆，刘铭，巩锋，王经纬，王丛，孙浩，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：