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本发明公开了一种双色红外探测材料的制备方法及系统,该方法制备双色红外探测材料需要的层数少,制备工艺简单。其制备方法包括:对InSb晶体先进行前期处理操作,获得外延级(211)晶向的InSb衬底;对所述(211)晶向的InSb衬底进行处理,获...该专利属于中国电子科技集团公司第十一研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第十一研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种双色红外探测材料的制备方法及系统,该方法制备双色红外探测材料需要的层数少,制备工艺简单。其制备方法包括:对InSb晶体先进行前期处理操作,获得外延级(211)晶向的InSb衬底;对所述(211)晶向的InSb衬底进行处理,获...