应用双色红外材料制备探测器芯片的方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种应用双色红外材料制备探测器芯片的方法及系统，其制备工艺简单。该方法包括：制备双色红外材料；然后进行台面刻蚀处理和离子注入区刻蚀，在InSb衬底上注入Be离子，形成P-on-N二极管，在HgCdTe材料上注入B离子，形成N-on-P二极管；将离子注入后的所述双色红外材料在保护气氛下进行退火处理；再在等离子体气体中进行钝化层生长，所述钝化层的厚度为400-800纳米；在等离子体气体、甲烷和氢气中进行接触孔刻蚀；然后进行金属膜层沉积处理和电极处理形成双色探测器芯片。红外探测材料的制备系统包括双色红外探测材料制备系统、刻蚀设备、离子注入设备、退火设备、磁控溅射设备、离子铣设备和电极处理设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信
，尤其涉及一种应用双色红外材料制备探测器芯片的方法及系统。
技术介绍
红外探測器芯片可广泛应用于侦察、资源调查、天文观测等军事和民事领域。双/多色红外探測器芯片由于可实现同时进行两个或多个波段红外辐射的探測，具有更好的目标探测和识别能力，属于高性三代红外焦平面器件，是各种高端军用或民用系统的核心器件。目前双色红外探測器芯片主要采用碲镉汞薄膜材料，该材料基于碲锌镉衬底或其它替代衬底，采用分子束外延方法制备特定组分的多层碲镉汞薄膜，进而制备双色红外探测器芯片。 现有技术的缺点采用碲镉汞薄膜制备双色探測器芯片时制备エ艺复杂。
技术实现思路
鉴于上述的分析，本专利技术g在提供一种应用双色红外材料制备探测器芯片的方法及系统，以解决上述エ艺复杂的问题。本专利技术的目的主要是通过以下技术方案实现的—种双色红外材料制备探测器芯片的方法，该方法包括以下步骤制备双色红外材料；对所述双色红外材料进行台面刻蚀处理；在InSb衬底上注入Be离子，形成P-on-N ニ极管，在HgCdTe材料上注入B离子，形成N-on-P ニ极管，离子注入的注入剂量为5 X 1014/cnT5 X 101本文档来自技高网...

【技术保护点】
双色红外材料制备探测器芯片的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：制备双色红外材料；对所述双色红外材料进行台面刻蚀处理；在InSb衬底上注入Be离子，形成P？on？N二极管，在HgCdTe材料上注入B离子，形成N？on？P二极管，离子注入的注入剂量为5×1014/cm2~5×1015/cm2，注入能量200~500千电子伏特，注入偏角7℃；将离子注入后的所述双色红外材料在保护气氛下进行退火处理，退火温度为250~400℃，退火时间为3？24小时；在等离子体气体中进行钝化膜生长，所述钝化膜的厚度为400？800纳米；在等离子体气体、甲烷和氢气中进行接触孔刻蚀，接触孔的刻蚀深度为1？3微米；然后进...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周立庆，孙浩，刘铭，巩锋，王经纬，王丛，韦书领，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：