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本发明公开了一种应用双色红外材料制备探测器芯片的方法及系统，其制备工艺简单。该方法包括：制备双色红外材料；然后进行台面刻蚀处理和离子注入区刻蚀，在InSb衬底上注入Be离子，形成P-on-N二极管，在HgCdTe材料上注入B离子，形成N-o...
该专利属于中国电子科技集团公司第十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十一研究所授权不得商用。

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