【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能电池生产
，该方法可以运用到晶硅太阳能电池扩散工艺中。
技术介绍
随着经济和社会的不断发展，能源危机和环境污染己经成为全人类生存与发展面临的严重挑战。晶硅太阳能电池因其光电转换效率高、成本低、工艺简单等优点已经成为当前重要产业化发展方向，晶硅太阳能电池生产占据了全球太阳能电池生产主导地位。 对于晶体硅太阳能电池的生产工序主要由清洗一扩散一等离子刻蚀一去磷硅玻璃一PECVD —丝网印刷一测试组成，其中扩散制结的好坏直接决定了效率的提升。现今对于多晶硅太阳能电池的提效主要是对扩散工艺进行改进，而要提高光电转换效率，就必须尽量减少漏电流的存在，方阻均匀性不好对漏电流影响很大，同时对烧结要求也很高。对于扩散中通入大氮的主要目的是在炉管中形成正压，避免其它外界气体和粉尘进入，并且使扩散更加均匀。加大大氮流量会有助于均匀性改善但是会使成本大大提高，因此要寻找既不增加成本也易操作的方法。本方法通过在扩散前调节干氧流量来控制氧化层厚度，使方块电阻均匀性在一定程度上得到了改善。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种优化晶硅太阳能电池扩散方阻均匀性的工艺。...
【技术保护点】
一种优化晶硅太阳能电池扩散方块电阻均匀性的方法，其步骤主要分为以下四步。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周艺，肖斌，黄燕，李华维，何俊明，郭长春，欧衍聪，
申请(专利权)人：长沙理工大学，
类型：发明
国别省市：
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