【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种，特别是有关于一种应用于太阳能电池的表面粗糙化或于基材表面形成特定图案的图形化半导体基材表面方法。
技术介绍
近年来，由于环境污染的问题越来越严重，很多国家开始开发新的绿色能源来减少环境污染的问题。太阳能电池可将太阳的光能转为电能，且这种转换不会产生任何污染性的物质，因此太阳能电池逐渐受到重视。太阳能电池是利用半导体的光电效应直接吸收太阳光来发电。太阳能电池的发电原理是当太阳光照射在太阳能电池上时，太阳能电池会吸收太阳光能，而使太阳能电池的P 型半导体与N型半导体分别产生电子与空穴，并使电子与空穴分离来形成电压降，进而产生电流。在太阳能电池的制造过程中，通常会对太阳能电池的半导体基板进行表面粗糙化步骤。表面粗糙化步骤是利用化学蚀刻液来将太阳电池表面蚀刻成金字塔状或多角锥状的颗粒形状。粗糙化的表面可使得太阳能电池在接收太阳光的过程中，减少因光线反射而无法吸收的太阳光，如此即可增加太阳能电池的发电效率。例如已知太阳能电池的粗糙表面为倒金字塔型态时，其表面粗糙化步骤是在半导体基板上沉积出屏蔽，然后利用此屏蔽来于半导体基板上蚀刻出具有倒金字塔结构的...
【技术保护点】
一种图形化半导体基材表面的方法，其特征在于，包含：提供一高分子膜，其中该高分子膜具有多个第一贯穿孔；形成一保护层于该高分子膜的一表面上以及该些第一贯穿孔的多个侧壁上，以形成一屏蔽，其中该些第一贯穿孔被该保护层填充而形成多个第二贯穿孔，该屏蔽包含该高分子膜以及具有该些第二贯穿孔的该保护层；进行一固定步骤，以将该屏蔽固定于一半导体基材的一表面上；以及进行一蚀刻步骤，以利用该屏蔽来蚀刻该半导体基材的该表面，而在该表面上形成多个凹槽。
【技术特征摘要】
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