用于直接接合半导体结构的改善的接合表面制造技术

用于直接接合半导体结构的改善的接合表面。将第一半导体结构直接接合到第二半导体结构的方法包括以下步骤：在导电材料对导电材料直接接合工艺中将第一半导体结构的至少一个器件结构直接接合到第二半导体结构的至少一个器件结构。在一些实施方式中，在接合工艺之前，可使所述第一半导体结构的至少一个器件结构突出一距离，以超过所述第一半导体结构上的相邻的介电材料。在一些实施方式中，所述多个器件结构中的一个或更多个可包括从基础结构延伸的多个整体突起。使用这些方法来制造接合的半导体结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及将半导体结构直接接合(bonding)在一起的方法,并且涉及使用这些方法形成的接合的半导体结构。
技术介绍
两个或更多个半导体结构的三维(3D)集成可对微电子应用产生许多好处。例如，微电子元件的3D集成可导致改善的电性能和功耗，同时减小器件封装(foot print)的面积。例如参见 P. Garrou 等人的 “The Handbook of3D Integration” (ffiley-VCH(2008) ) 半导体结构的3D集成可通过以下方式进行将半导体裸片(die)附连到一个或更多个另外的半导体裸片(即，裸片到裸片(D2D))，将半导体裸片附连到一个或更多个半导体晶片(即，裸片到晶片(D2W))，以及将半导体晶片附连到一个或更多个另外的半导体晶·片(即，晶片到晶片(W2W))，或其组合。将一个半导体结构接合到另一个半导体结构时所使用的接合技术可按照不同的方式分类，一种方式是在两个半导体结构之间是否提供了将它们接合在一起的中间材料层，第二种方式是接合界面是否允许电子(即，电流)通过该界面。所谓的“直接接合方法”是这样的方法，在所述方法中，在两个半导体结构之间建立本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种将第一半导体结构直接接合到第二半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：包含导电材料的至少一个器件结构，所述至少一个器件结构在所述第一半导体结构的接合表面处暴露，以及在所述第一半导体结构的所述接合表面处暴露的介电材料，所述介电材料与所述第一半导体结构的所述至少一个器件结构相邻布置，所述介电材料在所述第一半导体结构的所述接合表面处的暴露表面限定所述第一半导体结构的接合平面；使所述第一半导体结构的所述至少一个器件结构从所述第一半导体结构的所述接合平面突出一距离，以超过相邻的介电材料；提供第二半导体结构，所述第二半导体结构包括：包含导电材料的至少一个器件...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：玛丽亚姆·萨达卡，
申请(专利权)人：索泰克公司，
类型：发明
国别省市：