晶界层和表面层陶瓷电容器的半导化烧结方法技术

本发明专利技术属Ⅲ型陶瓷电容器生产中关键工艺之一的半导化烧结及处理方法，其特征是采用高温和触媒作用下得到的氨分解产物一氮氢混合气体替代原来的高纯氮气加高纯氢气作为半导化烧结所需的还原气氛；并在窑炉进出口端形成火帘密封，防止空气进入窑炉，从而使半导化烧结工艺中所用气体的成本下降到仅为原料的１３．６％。采用本发明专利技术既降低了生产的总成本，又提高了生产的安全性，特别对规模化生产意义更加重大。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属陶瓷电容器
，特别是晶界层和表面层陶瓷电容器的制造方法。众所周知，晶界层和表面层电容器在IEC标准中属Ⅲ型半导体陶瓷电容器，是一种利用特殊的显微结构来获取优良表观性能的陶瓷电容器，适于制作小体积大容量的高比容电容器，在家用电器、计算机、电子玩具等中有广泛的应用，需求量大。80年代以来，大量的材料研究和生产实践证明，在Ⅲ型陶瓷电容器的生产过程中瓷片的半导化烧结或半导化热处理是形成特殊显微结构的关键基础工艺之一。目前国际上生产Ⅲ陶瓷电容器的厂家以日本太阳诱电公司(Taiyo Yuden Co.Ltd)、日本村田公司(Murata Manufacturing Co.Ltd)和日本松下公司为代表(分别详见美国专利1982年4323617、1985年4535064和1982年4363637)，而目前国内以台商独资的大惟公司(厂址在广东东莞)为最大生产厂家，个别国营798厂、999厂也能小批量生产。这些国内外公司、厂家在生产Ⅲ型陶瓷电容器的过程中所采用的半导化烧结方法均为采用高纯氮气加高纯氢气，其中氢气的含量各有不同，一般在1-20％之间，通入窑炉中作为半导化烧结的还原气本文档来自技高网...

【技术保护点】
晶界层和表面层陶瓷电容器的半导化烧结方法其特征是采用高温和触媒作用得到的氨分解产物－氮、氢混合气体替代原来的高纯氮气加高纯氢气作为Ⅲ型陶瓷电容器生产中半导化烧结或半导化热处理所需的还原气氛，具体方法为：将市售液氨瓶（１）中的高压氨气（ＮＨ↓［３］）经市售减压阀（２）后送至氨分解装置（３）的电热容器中，当温度在６５０℃左右，在触媒作用下氨分解成氮气和氢气的混合气体，这混合气体经过溢气装置（４）后引入窑炉（５），使窑炉内的瓷片（６）处于氮氢混合还原气氛进行导化烧结或热处理，并在窑炉（５）的进出气口端用明火点燃形成火帘密封，其氮氢混合气体的流量大小以窑炉（５）能正常自动点燃明火为准，其窑炉（５）的温...

【技术特征摘要】
1．晶界层和表面层陶瓷电容器的半导化烧结方法其特征是采用高温和触媒作用得到的氨分解产物-氮、氢混合气体替代原来的高纯氮气加高纯氢气作为Ⅲ型陶瓷电容器生产中半导化烧结或半导化热处理所需的还原气氛，具体方法为将市售液氨瓶(1)中的高压氨气(NH3)经市售减压阀(2)后送至氨分解装置(3)的电热容器中，当温度在650℃左右，在触媒作用下氨分解成氮气和氢气的混合气体，这混合气体经过溢气装置(4)后引入窑炉(5)，使窑炉内的瓷片(6)处于氮氢混合还原气氛进行导化烧结或热处理，并在窑炉(5)的进出气口端用明火点燃形成火帘...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟朝位，张树人，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：51[中国|四川]