【技术实现步骤摘要】
本技术涉及金属氧化物半导体场效应晶体管，尤其是功率VDMOSFET、IGBT、平 面型（沟道平行芯片表面）的超级结构的DMOS和IGBT等功率半导体器件，具体涉及低输 入电容功率半导体场效应晶体管，属于半导体器件
技术介绍
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)在作为开关器件，在电源等领域中被 广泛地使用。如图1所示，金属氧化物半导体场效应晶体管基本原理是在NPN构成半导体 表面，在其中的P型区上并覆盖两侧的PN结，上面形成氧化层金属（或硅）栅结构，利用栅 下面的P型区在栅偏压下形成反型层使两侧的N型区联通而构成的栅控半导体器件。为了 实现高压，形成如图2所示的器件结构，器件耐压漂移区改为纵向结构；为了工艺实施方便 以及为了达到耐压的提高或耐压的稳定，金属（或硅）栅通常要有一定长度覆盖在漂移区 上，充当场板作用。结果是提高器件的耐压，但由于此场板与漂移区形成电容结构，而且与 器件控制栅相连，此电容的充放电过程直接作用在器件的控制栅上，出现米勒电容效应，使 器件的开关速度降低，改变了器件的动态增益，增加开关功率损耗；降低电路效率。 【技...
【技术保护点】
低输入电容功率半导体场效应晶体管，其特征是，半导体场效应器件的多晶硅栅在JFET区两侧边缘处断开，形成两侧多晶硅栅极和中间JFET区上的多晶硅场板，两侧多晶硅栅与多晶硅场板之间均具有间距，所述多晶硅场板在芯片有源区边缘与该器件的源区金属相连，形成该器件的DS之间的电容。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：左义忠，高宏伟，张海宇，贾国，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：吉林;22
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