【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供呈现具有负阻特性的装置结构以及此类装置结构的制造方法。施加信号于金属-绝缘体-半导体电容器的金属层，以使该金属-绝缘体-半导体电容器的绝缘体层在一位置击穿。在该绝缘体层的该位置处的该击穿使该金属-绝缘体-半导体电容器呈现负阻。该金属层可由多晶金属组成。该多晶金属的晶粒可穿过该绝缘体层并进入位于该击穿的该位置处的衬底的部分中。【专利说明】具有负阻特性的装置结构
本专利技术涉及半导体装置制造，尤其涉及呈现负阻特性的装置结构以及此类装置结构的制造方法。
技术介绍
特定的装置呈现负阻(negative resistance)特性，其中，观察到装置的端子之间的电压的增加导致流过该装置的电流降低。呈现负阻的装置的行为与普通电阻器的行为相反。普通电阻器呈现正阻，其中，由于欧姆定律，所施加电压的增加引起电流成比例增加。电阻器因流经它的电流而消耗功率，而负阻装置则可产生功率或者甚至可用以放大电性信号。需要呈现负阻特性的改进装置结构以及此类装置结构的制造方法。
技术实现思路
依据本专利技术的一个实施例，提供一种形成装置结构的方法。该方法包括利用由半导体组...
【技术保护点】
一种装置结构，通过使用由半导体组成的衬底形成，该装置结构包括：由多晶金属组成的第一层，该多晶金属包括多个晶粒；以及由电性绝缘体组成的第二层，该第二层位于该第一层与该衬底的部分之间，其中，该多个晶粒的至少一个穿过该第二层并进入该衬底的该部分中。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·陈，C·D·格拉斯，T·L·卡内，M·A·欣奥斯克伊，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛;KY
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