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本发明提供呈现具有负阻特性的装置结构以及此类装置结构的制造方法。施加信号于金属-绝缘体-半导体电容器的金属层，以使该金属-绝缘体-半导体电容器的绝缘体层在一位置击穿。在该绝缘体层的该位置处的该击穿使该金属-绝缘体-半导体电容器呈现负阻。该金...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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