显示屏电容制造技术

本实用新型专利技术涉及一种显示屏电容，包括：依次连接的第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层和第三电极层，第一电极层、第二电极层和第三电极层两两之间部分叠合，第一电极层为多晶硅层，第三电极层上连接有第三绝缘层，第三绝缘层上连接有连接层，还包括第一通孔和第二通孔，第一通孔贯穿第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，连接层通过第一通孔与第一电极层连接，第二通孔贯穿第三绝缘层，连接层通过第二通孔与第三电极层连接。本实用新型专利技术通过多晶硅层分别与第二电极层和第三电极层组成电容，增加了电容的容值，在满足显示效果的电容值一定时，电容的面积更小，有效提高了显示屏的分辨率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示屏
，特别是涉及显示屏电容。
技术介绍
AMOLED(Active-matrixorganiclightemittingdiode，有源矩阵有机发光二极 体）显示屏LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶娃技术）背板中像素电路部分 一般通过加大驱动管TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管）的长度来减少沟道调制效 应、降低漏电流、减轻DIBL(DrainInducedBarrierLowering，漏端引入的势皇降低）效 应、同时增加Data电压范围；通常也在有限范围内加大电容值来降低漏电流与防止寄生电 容的干扰，一般来说，电容值与电容面积成正比，因此增大容值将引起电容面积增大。但由 于当前市场对显示屏PPI(PixelsPerInch，每英寸像素）、分辨率的要求越来越高，使得子 像素电路尺寸的面积也就越来越小，而照目前已有的产品可以看出，电容与驱动管在像素 电路中占相当大的空间，也就是说，显示屏高PPI和高分辨率要求电路中所包含的电容面 积以及驱动管尺寸相应的减少。因此，现有的AMOLED显示屏的电容结构无法解决为提高显 示效果而增大电容容值和增加驱动管长度，同时为提高PPI和分辨率而减小电容面积和驱 动管长度之间的矛盾。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有AMOLED显示屏的电容无法满足增加容值和驱动管长度 以提高显示效果，同时减小电容面积和驱动管长度以提高分辨率的缺陷，提供一种有效提 高显示效果，电容面积得以减小，且驱动管长度增加，以使分辨率得以提高的显示屏电容。 -种显不屏电容，包括： 依次连接的第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层和第三电极层，所 述第一电极层、所述第二电极层和所述第三电极层两两之间部分叠合，所述第一电极层为 多晶硅层，所述第三电极层上连接有第三绝缘层，所述第三绝缘层上连接有连接层，还包括 第一通孔和第二通孔，所述第一通孔贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝 缘层，所述连接层通过所述第一通孔与所述第一电极层连接，所述第二通孔贯穿所述第三 绝缘层，所述连接层通过所述第二通孔与所述第三电极层连接。 在一个实施例中，还包括第三通孔，所述第三通孔贯穿所述第二绝缘层和所述第 三绝缘层，所述连接层通过所述第三通孔与所述第二电极层连接。 在一个实施例中，所述连接层为金属层。 在一个实施例中，所述连接层为钛铝合金层。 在一个实施例中，所述连接层为钼铝合金层。 在一个实施例中，所述第二电极层为金属层。 在一个实施例中，所述第二电极层为钼层。 在一个实施例中，所述第三电极层为金属层。 在一个实施例中，所述第三电极层为钼层。 在一个实施例中，所述第一电极层、所述第二电极层以及所述第三电极层的形状 相异设置。 上述显示屏电容，以多晶硅层作为电容的电极层，并通过多晶硅层分别与第二电 极层和第三电极层组成电容，增加了电容容值，而位于多晶硅层同一层的多晶硅驱动管的 长度可根据多晶硅层进行调整长度，使得驱动管长度得以增加，有效提高了显示效果，同 时，在满足显示效果的电容值一定时，电容的面积更小，有效提高了显示屏的分辨率。【附图说明】 图1为本技术一个实施例的显示屏电容的剖面示意图； 图2为本技术一个实施例的显示屏电容的结构示意图； 图3为图2的透视效果示意图。【具体实施方式】 为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描 述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以以许多不同的形式 来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本实用 新型的公开内容理解的更加透彻全面。 需要说明的是，当元件被称为"设置于"另一个元件，它可以直接在另一个元件上 或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是"连接"另一个元件，它可以是直接连接 到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语"垂直的"、"水平的"、"左"、 "右"以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。 除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领 域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为 了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语"及/或" 包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。 如图1所示，其为本技术一较佳实施例的显示屏电容10,包括： 依次连接的第一电极层110、第一绝缘层510、第二电极层120、第二绝缘层520和 第三电极层130,如图2、图3所示，所述第一电极层110、第二电极层120和所述第三电极层 130两两部分叠合，所述第一电极层110为多晶硅层，所述第三电极层130上连接有第三绝 缘层530,所述第三绝缘层530上连接有连接层200,还包括第一通孔410和第二通孔420， 所述第一通孔410贯穿所述第一绝缘层510、所述第二绝缘层520和所述第三绝缘层530， 所述连接层200通过所述第一通孔410与所述第一电极层110连接，所述第二通孔420贯 穿所述第三绝缘层530,所述连接层200通过所述第二通孔420与所述第三电极层130连 接，这样，第一电极层110与第二电极层120组成第一电容，第三电极层130与第二电极层 120组成第二电容，第一电极层110和第三电极层130通过连接层200连接，使得第一电容 和第二电容并联，从而使得总的电容容值增加。 例如，本技术的显示屏电容10制作方法为：依次沉积第一电极层110、第一绝 缘层510、第二电极层120、第二绝缘层520、第三电极层130和第三绝缘层530,且令第一 电极层110、第二电极层120和第三电极层130两两之间部分叠合，例如，所述第一电极层 110、所述第二电极层120以及所述第三电极层130的形状相异设置，使得所述第一电极层 110、所述第二电极层120以及所述第三电极层130至少部分地在竖直方向上错开，错开的 区域用于刻蚀通孔，如图2所示，第一电极层110、第二电极层120和第三电极层130具有 不同的沉积面积，且在竖直方向上部分错开当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示屏电容，其特征在于，包括依次连接的第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层和第三电极层，所述第一电极层、所述第二电极层和所述第三电极层两两之间部分叠合，所述第一电极层为多晶硅层，所述第三电极层上连接有第三绝缘层，所述第三绝缘层上连接有连接层，还包括第一通孔和第二通孔，所述第一通孔贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，所述连接层通过所述第一通孔与所述第一电极层连接，所述第二通孔贯穿所述第三绝缘层，所述连接层通过所述第二通孔与所述第三电极层连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑园，陈天佑，胡君文，苏君海，李建华，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44