用于半导体加工的玻璃陶瓷基材制造技术

实施方式涉及可用于LED发光器件的具有III-V半导体层(例如，GaN层)的玻璃陶瓷基材。玻璃陶瓷材料是钙长石-金红石(CaAl2Si2O8+TiO2)种类或者堇青石-顽辉石(Mg2Al4Si5O18+MgSiO3)种类。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请交叉参考本申请根据35U.S.C.§119，要求2012年6月29日提交的美国临时申请系列第61/666,385号的优先权。专利技术背景
实施方式涉及玻璃陶瓷基材，更具体地涉及可用于氮化镓(GaN)薄膜生长的玻璃陶瓷基材。技术背景发光二极管(LED)已经被商业化使用超过20年，并且具有包括能效、安全性、小尺寸和长使用寿命的合乎希望的属性。氮化镓是用于LED制造的主要材料。目前，蓝宝石(Al2O3)和硅是用于LED基材的常用材料。它们都具有良好的化学和热耐久性。但是，蓝宝石的可用量有限，并且其尺寸为小于100毫米(mm)直径，而硅在尺寸高至300mm直径是可用的。此外，这两种材料的热膨胀系数(CTE)都与GaN明显不同。该错配导致基材在生长过程中的弯曲和/或GaN晶体质量的高缺陷水平。会希望一种替代基材，其与GaN具有良好的CTE匹配，同时还具有良好的热稳定性(至1100℃)、化学耐用性以及表面抛光特性。专利技术概述实施方式描述了适用于层转本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制品，该制品包括：玻璃陶瓷基材；以及设置在所述基材的表面上的包含III‑V半导体的层，其中所述基材包含钙长石‑金红石(CaAl2Si2O8+TiO2)或者堇青石‑顽辉石(SiO2‑Al2O3‑MgO‑TiO2)材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.06.29 US 61/666,3851.一种制品，该制品包括：玻璃陶瓷基材；以及设置在所述基材的表面上
的包含III-V半导体的层，其中所述基材包含钙长石-金红石(CaAl2Si2O8+
TiO2)或者堇青石-顽辉石(SiO2-Al2O3-MgO-TiO2)材料。
2.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述III-V半导体包括Al、Ga、
In或其组合，以及N、P、As或其组合。
3.如权利要求2所述的制品，其特征在于，所述III-V半导体是GaN、GaP、
AlGaAs、InGaAs、InGaN、AlGaP或其组合。
4.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述基材大于或等于80％的体
积是晶相。
5.如权利要求4所述的制品，其特征在于，晶相分散在整个体积中。
6.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述基材小于或等于20％的体
积是玻璃状相。
7.如权利要求6所述的制品，其特征在于，玻璃状相分散在整个体积中。
8.如权利要求1所述的制品，其特征在于，层和基材的CTE相互在±5x10-7内。
9.如权利要求1所述的制品，其特征在于，层和基材的CTE都是60x10-7+5。
10.如权利要求1所述的制品，其特征在于，所述表面的平均粗糙度小
于...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·H·比尔，J·G·库亚德，S·马加诺维克，G·A·默克尔，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US