低成本表面层型半导体陶瓷电容器瓷料的制造方法技术

一种低成本表面层型半导体陶瓷电容器瓷料的制造方法，第一步：掺杂BaTiO3烧块的合成；第二步：Tc移动剂烧块的合成；第三步：瓷料制造。本发明专利技术采用工业级或电子一级TiO2代替价高的高纯TiO2，采用合成掺杂一步法的新工艺替代传统工艺，实现了瓷料生产成本的大幅度降低，而且瓷料性能完全满足要求。此外，采用多种掺杂稀土元素替代价高的氧化钕稀土元素，使生产成本更进一步降低，而且瓷料性能也有显著的提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属电子材料领域，具体涉及一种。
技术介绍
半导体陶瓷电容器，一般分三大类，即阻挡层型、表面层型和晶粒边界层型。表面层型具有比容大，工艺性好，且较简单，便于量产化等优点，广泛用于通讯、计算机等多种电子产品中。对用于表面层型半导体陶瓷电容器的瓷料而言，应同时满足以下三个条件:(1)瓷料材料本身的ε Γ应尽可能大；(2)瓷料材料的结构应致密，晶粒应细小均匀；(3)瓷料材料应易还原再氧化。已有技术普遍采用高纯原料和传统工艺生产瓷料，普遍存在ε r不高和工艺的不稳定。而且表现出掺杂效果不稳定，形成Ba位置电中性缺位固溶体数量不足。最为突出的是必须采用高纯原料,使成本居高不下。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题:提供一种，采用工业级或电子一级TiO2代替价高的高纯TiO2，采用合成掺杂一步法的新工艺替代传统工艺，实现了瓷料生产成本的大幅度降低，而且瓷料性能完全满足要求。此外，采用多种掺杂稀土元素替代价高的氧化钕稀土元素，使生产成本更进一步降低，而且瓷料性能也有显著的提高。本专利技术的技术解决方案:第一步:掺杂BaTi O3烧块的合成；首先按BaCO3 65-78 Wt%，工业级或电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低成本表面层型半导体陶瓷电容器瓷料的制造方法，其特征是：第一步：掺杂BaTi?O3烧块的合成；首先按BaCO3?65?78?Wt%，工业级或电子一级TiO2?20?30?Wt%，La系稀土2?5?Wt%配比原料；然后将配好的原料混合球磨3?4小时，砂磨细化4?5小时后煅烧合成掺杂BaTi?O3烧块，合成温度及保温时间为1240±5℃/2H，再将高温合成的掺杂BaTi?O3烧块粉碎过筛，最后对粉碎过筛后的烧块进行检测；第二步：Tc移动剂烧块的合成；首先按Nd2O3?55?61?Wt%，ZrO2?27?33?Wt%?，SnO2?8?14?Wt%，?MnCO3?1?3?Wt%配比原料；然后将配好...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈玉林，
申请(专利权)人：宝鸡秦龙电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：