半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法及半导体装置制造方法及图纸

技术编号:9360650 阅读:96 留言:0更新日期:2013-11-21 06:49
一种半导体接合保护用玻璃复合物,其特征在于,至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO,CaO、MgO、以及BaO中至少两种碱土金属的氧化物,且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K。本发明专利技术的半导体接合保护用玻璃复合物,使用不含铅的玻璃材料,可以制造出与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料同样的高耐压半导体装置。另外,因为至少含有CaO、MgO、以及BaO中至少两种碱土金属的氧化物,因此具有在50℃~550℃下的平均线膨胀系数接近硅的线膨胀系数的值,可以制造可信度高的半导体装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:六鎗広野伊东浩二小笠原淳伊藤一彦
申请(专利权)人:新电元工业株式会社
类型:
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1