【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种生长高介电常数电介质叠层的方法，其特征在于，包括：采用热模式原子层沉积方法在衬底上生长第一层高介电常数电介质；采用等离子增强模式原子层沉积方法在第一层高介电常数电介质上生长第二层高介电常数电介质。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵威，刘洪刚，孙兵，常虎东，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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