静电夹盘外围的插入环的介电常数的调整方法技术

本发明专利技术提供了一种静电夹盘外围的插入环的介电常数的调整方法，所述插入环为能够通入和排出流体的中空腔体结构，所述调整方法包括：步骤A、获取插入环的预定介电常数；所述预定介电常数由反应腔体内待加工晶圆上方的等离子体密度及其分布确定；步骤B、根据所述插入环的预定介电常数，选取与所述预定介电常数相对应的流体介电质；步骤C、向所述中空腔体内通入选取的流体介电质。通过本发明专利技术提供的调整方法，可以实现插入环介电常数的大幅度且精确调整。

【技术实现步骤摘要】

本领域涉及半导体加工工艺领域，尤其涉及一种静电夹盘外围的插入环的介电常数的调整方法。
技术介绍
对待加工晶圆的等离子体加工处理过程通常发生在电容耦合放电等离子体加工设备的腔体内。如图1所示，电容耦合放电等离子体加工设备的腔体1内部包括用于放置和固定待加工晶圆的静电夹盘2以及位于静电夹盘2外围的插入环(insertring)3。该插入环3为绝缘体，并且该插入环3用于实现静电夹盘2’与地隔离。在等离子体加工处理时，待加工晶圆4固定在静电夹盘2上，腔体1外部的射频功率源RF源产生的射频功率P0输入到反应腔体1内，反应腔体1内部的静电夹盘2和位于静电夹盘2外围的插入环3对该输入的射频功率进行耦合。利用两者耦合的功率在反应腔体1内对待加工晶圆4进行等离子体加工处理。其中，通过静电夹盘耦合的射频功率和通过插入环耦合的射频功率会影响腔体内待加工晶圆上方的等离子体密度及其分布。通常情况下，为了提高待加工晶圆的加工质量，如待加工晶圆表面的均匀性，需要根据待加工晶圆的性能参数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电夹盘外围的插入环的介电常数的调整方法，所述插入环为能够通入和排出流体的中空腔体结构，其特征在于，包括：步骤A、获取插入环的预定介电常数；所述预定介电常数由反应腔体内待加工晶圆上方的等离子体密度及其分布确定；步骤B、根据所述插入环的预定介电常数，选取与所述预定介电常数相对应的流体介电质；步骤C、向所述中空腔体内通入选取的流体介电质。

【技术特征摘要】
1.一种静电夹盘外围的插入环的介电常数的调整方法，所述插入环为能
够通入和排出流体的中空腔体结构，其特征在于，包括：
步骤A、获取插入环的预定介电常数；所述预定介电常数由反应腔体内待
加工晶圆上方的等离子体密度及其分布确定；
步骤B、根据所述插入环的预定介电常数，选取与所述预定介电常数相对
应的流体介电质；
步骤C、向所述中空腔体内通入选取的流体介电质。
2.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，根据所述插入环的预
定介电常数选取的流体介电质至少包括两种，所述步骤B之后，所述步骤C
之前，还包括：
步骤D、根据所述插入环的预定介电常数以及不同种类的流体介电质的介
电常数，确定不同种类的流体介电质的体积比例；
所述步骤C具体为：按照确...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶如彬，浦远，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31