在亲水性介电材质上形成低介电常数材质的方法及结构技术

一种在亲水性介电材质上形成低介电常数材质的方法，包括提供一基底，基底上已形成有一低介电常数介电层及在此低介电常数介电层上形成有一亲水性介电层。形成一ＨＭＤＳ［（（ＣＨ↓［３］）↓［３］Ｓｉ）↓［２］ＮＨ］附着层于此亲水性介电层上。在此ＨＭＤＳ附着层上形成一低介电常数介电层。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，且特别是涉及一种在亲水性介电材质上形成一低介电常数材质的方法及形成的结构。当半导体集成电路元件的尺寸日渐缩减，而达到0.18微米以下时，例如铜制作工艺元件的内连线介电材料，必须以低介电常数的材料为主。目的是以降低介电材料引起的寄生电容，避免造成过大的电阻-电容延迟时间(RC delay time)，而影响元件的操作品质。特别是到0.13微米以下的技术时，其势必要以低介电常数的材料取代一般氧化硅的介电材料。所谓低介电常数，一般是低于4的介电常数，例如有机旋涂(organic spin on)的介电材料。虽然有机旋涂的介电材料的介电常数较低，但是其硬度较小。一般其上会形成一较薄的一般硬介电材料，例如氧化硅，氮化硅，氮氧化硅(siliconoxynitride)，以达到所需的机械强度。然后下一级的内连线介电层，会继续形成于上。但是这些硬介电材料都有较强的亲水性(hydrophilic)表面或是高极化(high polar)表面。反之，有机旋涂的介电材料的表面，是疏水性的(hydrophobic)或是非极化的(non-polar)。因此有机旋涂的介电材料无法直本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在亲水性介电材质上形成低介电常数材质的方法，包括：提供一基底，该基底上已形成有一第一介电层；在该第一介电层上形成一亲水性的第二介电层；在该第二介电层上形成一ＨＭＤＳ［（（ＣＨ↓［３］）↓［３］Ｓｉ）↓［２］ＮＨ］附着增强层； 以及在该ＨＭＤＳ附着增强层上形成一低介电常数介电层。

【技术特征摘要】
1.一种在亲水性介电材质上形成低介电常数材质的方法，包括提供一基底，该基底上已形成有一第一介电层；在该第一介电层上形成一亲水性的第二介电层；在该第二介电层上形成一HMDS[((CH3)3Si)2NH]附着增强层；以及在该HMDS附着增强层上形成一低介电常数介电层。2.如权利要求1所述在亲水性介电材质上形成低介电常数材质的方法，其中该低介电常数介电层包括一有机旋涂介电材料。3.如权利要求1所述在亲水性介电材质上形成低介电常数材质的方法，其中该低介电常数介电层包括一疏水性介电材质。4.如权利要求1所述在亲水性介电材质上形成低介电常数材质的方法，其中该亲水性的第二介电层包括氧化硅。5.如权利要求1所述在亲水性介电材质上形成低介电常数材质的方法，其中该亲水性的第二介电层包括氮化硅。6.如权利要求1所述在亲水性介电材质上形成低介电常数材质的方法，其中该亲水性的第二介电层包括氮氧化硅。7.如权利要求1所述在亲水性介电材质上形成低介电常数材质的方法，其中该第一介电层包括一低介电常数材质。8.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈桂顺，蔡正原，黄义雄，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]