一种具有高介电常数的混合价氟化铜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有高介电常数的混合价氟化铜及其制备方法。氟化铜的组成通式为Cu2+(1-x)Cu3+xF(2+x)，其中0.01≤x≤0.25或者0.75≤x≤0.99。以硼氟酸HBF4、氧化铜CuO和氧化铜Cu2O3为原料，采用水热工艺合成混合价氟化铜粉体，经过烧结获得高介电常数的氟化铜陶瓷。本发明专利技术的制备温度低，整个过程没有使用有毒的氢氟酸；采用水热合成工艺获得的粉体晶粒发育良好、粉体尺寸可控，且产物氟化铜和硼酸可以方便回收，是一种绿色制备技术。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子材料
，特别涉及。
技术介绍
随着电子设备尺寸的减小，多层陶瓷电容器日益向小型化、低成本、大容量的方向发展，相应地要求材料具有较高的介电常数。通常情况下，电子材料高的介电常数主要来源于铁电畴、界面极化以及热激活载流子。当材料中存在可变价金属离子，在这些金属离子在热场作用下会发生电离，周围出现弱束缚的电子。这些电子在电场作用下迁移或者跳跃，会引起介电常数的急剧增加，从而可以获得高介电常数材料。这类材料在氧化物中比较常见。CuF2是一种宽禁带化合物，属于电子绝缘体，常常作为锂离子电子的正极材料[史月丽，吴楠，沈明芳，董佳群，庄全超，江利，CuF2/Mo03/C复合正极的电化学阻抗谱研究，电化学，19(2): 155-163，2013]，其介电常数非常低。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供。本专利技术的思路:通过在CuF2中引入3价铜，获得一种+2和+3价的混合价态的氟化物；在室温附近，+2价铜可以发生部分电离，产生弱束缚的电子，这个电子在+2铜和+3价铜之间跳跃，从而引起介电弛豫，获得高的介电常数。本专利技术涉及的具有高介电常数的混合价氟化铜的化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高介电常数的混合价氟化铜，其特征在于所述具有高介电常数的混合价氟化铜的化学通式为：Cu2+(1?x)Cu3+xF(2+x)，其中0.01≤x≤0.25或者0.75≤x≤0.99。

【技术特征摘要】
1.一种具有高介电常数的混合价氟化铜，其特征在于所述具有高介电常数的混合价氟化铜的化学通式为:Cu2+(1_x)Cu3+xF(2+x)，其中0.01<X<0.25或者0.75<χ<0.99。2.根据权利要求1所述的具有高介电常数的混合价氟化铜的制备方法，其特征在于具体步骤为: (1)以硼氟酸HBF4、氧化铜CuO和氧化铜Cu2O3为原料，按通式Cu2+(1_x)Cu3+xF(2+x)，且0.01 <X <0.25或者0.75 < X < 0.99的化学计量比进行配料；(2)将步骤(1)配制好的原料放...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘来君，李莲婧，李桂钟，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：