【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种大马士革工艺的铜互连层及其制作方法，尤其涉及。
技术介绍
随着器件尺寸的不断缩小，由金属互连引起的器件延迟越来越成为提高器件速度的阻碍，而降低金属互连延迟一种非常有效的方法是使用更低介电常数的介质膜。业界普遍使用的大马士革铜互连技术，通过依次沉积、光刻、刻蚀、铜电镀、铜研磨形成阻挡层、介质层、设于介质层中的铜导线层和阻挡层。其介质介电常数完全由所使用的介质层的薄膜的介电常数决定，一旦选定膜质厚，其介电常数是固定的，无法调整。现有的业界普遍使用的22nnTl30nm的技术结点的介电介电常数通常在2. 2^3. 7。一经选定即不可变动的介质层薄膜为降低以及调整介质层的介电常数带来困难。因此，本领域的技术人员致力于开发。
技术实现思路
鉴于上述的现有技术中的问题，本专利技术所要解决的技术问题是现有的介质层薄膜的介电常数固定不变给降低以及调整介质层的介电常数带来的困难。本专利技术提供的一种介电常数可调整的金属互连层，包括依次沉积的阻挡层、介质层、金属导线层和阻挡层，所述金属导线层设于所述介质层中，所述金属导线层间的介质层中设有封闭的空隙。在本专利技术的一个...
【技术保护点】
一种介电常数可调整的金属互连层，其特征在于，包括依次沉积的阻挡层、介质层、金属导线层和阻挡层，所述金属导线层设于所述介质层中，所述金属导线层间的介质层中设有封闭的空隙。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曾林华，任昱，吕煜坤，张旭昇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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