半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体器件。在一个实施例中，一种半导体器件包括：第一布线，其沿着第一方向而被设置在第一布线层中；第二布线，其沿着与所述第一方向正交的第二方向而被设置在第二布线层中，所述第二布线在第一交叉部分处与所述第一布线交叉；以及第三布线，其靠近并沿着所述第二布线而被设置在所述第二布线层中，所述第三布线在第二交叉部分处与所述第一布线交叉，其中所述第一交叉部分中的所述第二布线与所述第二交叉部分中的所述第三布线之间的距离小于除了所述第一交叉部分之外的所述第二布线与除了所述第二交叉部分之外的所述第三布线之间的距离。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

半导体器件相关申请的交叉引用本申请基于并要求2011年9月27日提交的在先的日本专利申请2011-211666的优先权,通过引用将其全部内容并入到本文中。
本文中描述的示例性实施例一般涉及半导体器件，更具体地，涉及包括多层布线的半导体器件。
技术介绍
随着制造流程中微制造的发展，近年的半导体器件由于布线之间的距离变窄以及布线层之间的膜变薄而经历了寄生电容的不可忽视的增加。因此，基准电位布线等设置有屏蔽布线，以降低来自邻近的布线的耦合噪声，由此减轻噪声的负面影响。然而，在半导体器件中，当屏蔽布线过度靠近基准布线时，基准布线具有来自在固定电位处设置的屏蔽布线的噪声的不可忽视的负面影响。当屏蔽布线过度靠近信号布线或传送高压电的高电压线时，寄生负载会增加，导致功率消耗增加。因此，对于某些常规半导体器件，使屏蔽布线与基准布线等之间的距离固定。关于这一点，在具有多层布线的常规半导体器件中，由于在例如上层的基准布线与例如下层的噪声源布线交叉的部分中的“潜通路(sneak path) ”效应，增加了耦合电容。因此，基准电位更多地受到噪声源布线的影响，并导致在某个时刻半导体器件的故障。专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一布线，其沿着第一方向而被设置在第一布线层中；第二布线，其沿着与所述第一方向正交的第二方向而被设置在第二布线层中，所述第二布线在第一交叉部分处与所述第一布线交叉；以及第三布线，其靠近并沿着所述第二布线而被设置在所述第二布线层中，所述第三布线在第二交叉部分处与所述第一布线交叉；其中所述第一交叉部分中的所述第二布线与所述第二交叉部分中的所述第三布线之间的距离小于除了所述第一交叉部分之外的所述第二布线与除了所述第二交叉部分之外的所述第三布线之间的距离。

【技术特征摘要】
2011.09.27 JP 211666/20111.一种半导体器件，包括第一布线，其沿着第一方向而被设置在第一布线层中；第二布线，其沿着与所述第一方向正交的第二方向而被设置在第二布线层中，所述第二布线在第一交叉部分处与所述第一布线交叉；以及第三布线，其靠近并沿着所述第二布线而被设置在所述第二布线层中，所述第三布线在第二交叉部分处与所述第一布线交叉；其中所述第一交叉部分中的所述第二布线与所述第二交叉部分中的所述第三布线之间的距离小于除了所述第一交叉部分之外的所述第二布线与除了所述第二交叉部分之外的所述第三布线之间的距离。2.根据权利要求I所述的半导体器件，其中所述第三布线的所述第一交叉部分的宽度大于所述第三布线的所述第二交叉部分的览度。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第二布线的所述第一交叉部分的宽度小于所述第二布线的所述第二交叉部分的览度。4.根据权利要求I所述的半导体器件，其中所述第三布线的所述第二交叉部分的宽度与所述第三布线的另一部分的宽度相同。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第三布线具有U形。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中电连接至所述第一布线的接触布线被设置在所述第三布线的所述U形内的空间中。7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第二布线的所述第一交叉部分的宽度小于所述第二布线的所述第二交叉部分的览度。8.根据权利要求I所述的半导体器件，还包括第四布线，其靠近并沿着所述第一布线而...

【专利技术属性】
技术研发人员：大户修，鹤户孝博，的场贤一，佐藤顺平，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：实用新型
国别省市：