半导体基板上的高Q垂直带状电感器制造技术

提供了一种制造半导体装置的方法及其装置。该半导体装置（100）包括具有相对的第一和第二表面（102a、102b）的半导体基板（102）。该装置还包括设置在所述第一表面上的平坦电感器部件（104）。该平坦电感部件（103）包括沿曲折路径延伸并且限定多个绕组（104）的独立式电导体，其中，该电导体具有宽度和高度，并且其中，高宽（HW）比显著大于1。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体基板上的电感器和用于形成其的方法，并且更具体地说，涉及半导体基板上的、具有高品质因数的垂直带状电感器。
技术介绍
硅基集成电路中的常规电感器典型地具有与品质因数(Q因数)和自谐振频率(电感器理想地运转的最大频率)有关的性能限制。这种受限性能主要起因于电感器的绕组直接位于硅基板或硅基板上的氧化硅层上。一般来说，在这种绕组之间或之下存在任何类型的电介质层通常导致一定量的电容耦合。这种电容耦合通常劣化Q因数并且降低电感器的自谐振频率。
技术实现思路
本专利技术的实施例描述了用于在半导体基板上制造具有高品质因数的垂直带状电 感器的方法，和根据其的装置。在本专利技术第一实施例中，提供了一种半导体装置。该装置包括具有相对的第一和第二表面的半导体基板，和设置在该第一表面上的平坦电感器部件。在该装置中，该平坦电感部件包括沿曲折路径延伸并且限定多个绕组的独立式电导体，其中，该电导体具有宽度和高度，并且高宽(HW)比显著大于I。在本专利技术第二实施例中，提供了一种制造半导体装置的方法。该方法包括设置具有相对的第一和第二表面的半导体基板的步骤。该方法还包括在第一表面上形成平坦电感器部件的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·M·史密斯，
申请(专利权)人：哈里公司，
类型：
国别省市：