一种电极结构及ICP刻蚀机制造技术

本发明专利技术提供一种用于ICP刻蚀机的电极结构，包括：电感线圈、电感线圈连接件、连接杆以及套筒；其中，电感线圈设置于绝缘窗上，绝缘窗设置于腔体盖上；连接杆两端分别连接电感线圈和电感线圈连接件；套筒为金属导体材料且接地连接，套筒的一端为端盖、另一端为开口，套筒的端盖上设置有穿孔，连接杆设置在穿孔中且与端盖相互隔离，套筒的开口朝向电感线圈设置，并将电感线圈封闭在套筒内。本发明专利技术将电感线圈连接件产生的电磁场屏蔽在套筒之外，避免了对电感线圈产生的均匀的电磁场的影响，保证了刻蚀的均匀性。

Electrode structure and ICP etching machine

The present invention provides a method for electrode structure, ICP etching machine comprises an inductance coil, inductance coil connecting piece, the connecting rod and the sleeve; wherein, the inductance coil is arranged on the insulating windows, insulation window is arranged on the cavity cover; both ends of the connecting rods are respectively connected with the inductance coil and inductance coil connections; sleeve is a metal conductor material and the ground connection, one end of the sleeve to cover, the other end is an opening, the sleeve hole is arranged on the end cover, the connecting rod is arranged on the perforation and the end cover are separated from each other, the opening of the sleeve toward the inductance coil and inductance coil set, closed in the sleeve. The electromagnetic field produced by the inductance coil connector is shielded from the sleeve, thereby avoiding the influence of the uniform electromagnetic field produced by the inductance coil, and ensuring the uniformity of the etching.

【技术实现步骤摘要】
一种电极结构及ICP刻蚀机
本专利技术涉及半导体刻蚀
，特别涉及一种电极结构及ICP刻蚀机。
技术介绍
ICP(InductivelyCoupledPlasma，感应耦合等离子体)刻蚀，具有刻蚀速率高，选择比高且大面积均匀性好的特点，可以进行高质量的小尺寸线条的刻蚀，并获得较好的刻蚀形貌，是目前广泛采用的一种刻蚀技术。ICP刻蚀的工作原理是利用高密度等离子体轰击基片的表面，利用高密度的等离子体引起的化学反应和轰击产生的物理作用进行刻蚀。在IPC刻蚀机中，主要是通过射频线圈结构产生电磁场，通过该电磁场激发出等离子体。参考图1-图3所示，其中图1为现有技术中ICP刻蚀机中的设置于腔体盖上的电极的立体结构示意图，图2为图1中的电极的立体结构示意图，图3为图1的俯视结构示意图，电极13用于产生激发等离子体的电磁场，可以看到，其包括电感线圈131、电感线圈连接件132以及连接二者的连接杆133，电感线圈131设置在绝缘窗12上，绝缘窗12设置在腔体盖10上，在使用中，腔体盖10设置在腔体上，电感线圈连接件132与射频电源连接，在接通电源后，电感线圈131产生射频电磁场，用于激发等离子体。然而，对于这种结构，设置在电感线圈的电感线圈连接件会对电感线圈产生的电磁场造成影响，使得产生的射频电磁场存在不均匀性，造成刻蚀的不均匀性，进而影响产品的良率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种用于ICP刻蚀机的电极结构及ICP刻蚀机，消除电感线圈连接件对电感线圈产生的电磁场造成的影响，提高电磁场的均匀性。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：一种用于ICP刻蚀机的电极结构，包括：电感线圈、电感线圈连接件、连接杆以及套筒；其中，电感线圈设置于绝缘窗上，绝缘窗设置于腔体盖上；连接杆两端分别连接电感线圈和电感线圈连接件；套筒为金属导体材料且接地连接，套筒的一端为端盖、另一端为开口，套筒的端盖上设置有穿孔，连接杆设置在穿孔中且与端盖相互隔离，套筒的开口朝向电感线圈设置，并将电感线圈封闭在套筒内。可选的，端盖上的穿孔的孔径大于连接杆的直径，使得穿孔与连接杆之间存在间隙，以实现连接杆与端盖之间的相互隔离。可选的，穿孔与连接杆之间设置有绝缘套，以使得连接杆与端盖之间相互隔离。可选的，所述套筒的开口处设置有翻边，通过翻边将套筒固定在腔体盖上，且翻边与腔体盖接触，以通过腔体盖使得套筒接地。可选的，还包括卡环，所述套筒的开口处设置有翻边，通过翻边将套筒固定在绝缘窗上，卡环设置在套筒外壁上且与腔体盖接触，以通过腔体盖和卡环使得套筒接地。可选的，套筒的金属材料为Cu、Al或Ag或他们的组合、或磁场屏蔽金属材料。可选的，所述电感线圈为圆环形，所述套筒为圆筒状。可选的，所述连接杆在套筒内部的部分垂直于电感线圈排布。可选的，与电感线圈连接的连接杆为多个，连接杆通过电感线圈连接件分别与射频电源、接地端连接。此外，本专利技术还提供了一种ICP刻蚀机，包括上述任一的电极结构。本专利技术实施例提供的用于ICP刻蚀机的电极结构及ICP刻蚀机，设置了金属材料的套筒，该套筒的一端设置端盖，通过端盖上的穿孔将连接杆设置其中，套筒的另一端的开口朝向电感线圈设置，将电感线圈封闭于套筒内部，这样，就将电感线圈连接件设置于套筒之外，而套筒为一个接地的金属材料，从而形成了法拉第屏蔽套筒，从而将电感线圈连接件产生的电磁场屏蔽在套筒之外，避免了对电感线圈产生的均匀的电磁场的影响，保证了刻蚀的均匀性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中的ICP刻蚀机中设置在腔体盖上的电极的立体结构示意图；图2为图1中的电极的立体结构示意图；图3为图1的俯视结构示意图；图4为根据本专利技术实施例的ICP刻蚀机的电极结构的立体结构示意图；图5为图4的透视立体结构示意图；图6为图4的俯视结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。正如
技术介绍
中的描述，在现有技术中，ICP刻蚀机的电极由电感线圈、电感线圈连接件以及连接二者的连接杆组成，其中，电感线圈连接件与射频电源连接，在接通电源后，电感线圈产生射频电磁场，用于激发等离子体。然而，对于这种结构，设置在电感线圈之上，用于与电源接通的电感线圈连接件会对电感线圈产生的电磁场产生影响，从而形成不均匀的射频电磁场，这会影响产生等离子体的均匀性，进而影像刻蚀的均匀性和产品的良率。基于上述问题，本专利技术提供一种用于ICP刻蚀机的电极结构，参考图4-图6所示，其中图4为本专利技术实施例的电极结构的立体结构示意图，图5为将图4中的套筒透明化处理后的立体结构示意图，图6为图4的俯视结构示意图，所述电极结构包括：电感线圈231、电感线圈连接件232、连接杆233以及套筒30；其中，电感线圈231设置于绝缘窗22上，绝缘窗22设置于腔体盖20上；连接杆233两端分别连接电感线圈231和电感线圈连接件232；套筒30为金属导体材料且接地连接，套筒30的一端为端盖302、另一端为开口，套筒的端盖302上设置有穿孔303，连接杆233设置在穿孔303中且与端盖302相互隔离，套筒30的开口朝向电感线圈设置，并将电感线圈231封闭在套筒30内。在本专利技术的技术方案中，设置了金属材料的套筒，该套筒的一端设置端盖，通过端盖上的穿孔将连接杆设置其中，套筒的另一端的开口朝向电感线圈设置，将电感线圈封闭于套筒内部，这样，就将电感线圈连接件设置于套筒之外，而套筒为一个接地的金属材料，从而形成了法拉第屏蔽套筒，从而将电感线圈连接件产生的电磁场屏蔽在套筒之外，避免了对电感线圈产生的均匀的电磁场的影响，保证了刻蚀的均匀性。在本专利技术的实施例中，可以参考图2和图3所示，电极包括电感线圈231、电感线圈连接件232和连接杆233，其中，电感线圈连接件232与电源连接，通过连接杆233将电源连接至电感线圈231，电感线圈接收射频功率，从而产生用于激发等离子体的电磁场。在该实施例中，与电感线圈231连接的连接杆233为多个，连接杆233通过电感线圈连接件232分别与射频电源、接地端连接。根据不同的设计，电感线圈231可以为平面电感线圈或立体电感线圈，形状可以为螺旋形、渐近线形、同心圆形或圆形等。在本实施例中，电感线圈231为立体线圈，包括中心线圈和外围线圈，都由上下两层组成，中心线圈由一组基本为圆环形的线圈组成，该组线圈中包括两个交错的非封闭环，外围线圈也由一组基本为圆环形的线圈组成，该组线圈中包括两个交错的非封闭环，中心线圈内的非封闭环之间的间距与外围线圈内的非封闭环之间的间距不同，较这二者线圈内非封闭环之间的间距，中心线圈与外围线圈之间的间距更大，每组线圈通过连接杆233连接至电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于ICP刻蚀机的电极结构，其特征在于，包括：电感线圈、电感线圈连接件、连接杆以及套筒；其中，电感线圈设置于绝缘窗上，绝缘窗设置于腔体盖上；连接杆两端分别连接电感线圈和电感线圈连接件；套筒为金属导体材料且接地连接，套筒的一端为端盖、另一端为开口，套筒的端盖上设置有穿孔，连接杆设置在穿孔中且与端盖相互隔离，套筒的开口朝向电感线圈设置，并将电感线圈封闭在套筒内。

【技术特征摘要】
1.一种用于ICP刻蚀机的电极结构，其特征在于，包括：电感线圈、电感线圈连接件、连接杆以及套筒；其中，电感线圈设置于绝缘窗上，绝缘窗设置于腔体盖上；连接杆两端分别连接电感线圈和电感线圈连接件；套筒为金属导体材料且接地连接，套筒的一端为端盖、另一端为开口，套筒的端盖上设置有穿孔，连接杆设置在穿孔中且与端盖相互隔离，套筒的开口朝向电感线圈设置，并将电感线圈封闭在套筒内。2.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，端盖上的穿孔的孔径大于连接杆的直径，使得穿孔与连接杆之间存在间隙，以实现连接杆与端盖之间的相互隔离。3.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，穿孔与连接杆之间设置有绝缘套，以使得连接杆与端盖之间相互隔离。4.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述套筒的开口处设置有翻边，通过翻边将套筒固定在腔体盖上，且翻边与腔体盖接...

【专利技术属性】
技术研发人员：左涛涛，吴狄，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31