【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置，更具体而言涉及ー种具有TSV(穿通硅通孔)的半导体装置。
技术介绍
在大多数电子系统中用作存储装置的半导体存储器的容量与速度已稳定提高。已作出多种尝试以将提高了容量的存储器安装在更小的面积内并有效地驱动存储器。为了改善半导体存储器的集成度，采用了层叠有多个存储芯片的三维(3D)布局来取代现有的ニ维(2D)布局。随着存储器趋向更高的集成度和更高的容量，将会越来越多地使用3D布局以增加半导体存储器件的容量并减小半导体存储器件的尺寸。在3D布局结构中已使用穿通娃通孔(TSV)型。已米用TSV型作为用于克服由于与模块上的控制器的距离所导致的传输速度恶化、数据带宽不足、以及由于封装中的变化而造成的传输速率恶化的替代方案。在TSV型中，路径被定义成贯穿多个存储芯片，且在所述路径中形成有电极，使得各个存储芯片与控制器能够彼此通信。在采用TSV型的层叠式半导体存储装置中，不需要在SIP型或POP型中所使用的引线、子封装和封装球，而是以具有贯穿多个存储芯片的路径的方式将电极直接连接在控制器之上。在贯穿多个存储芯片的路径之间形成有凸块，以将所述多个存储...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括：TSV，所述TSV被形成为与另一芯片电连接；以及TSV测试单元，所述TSV测试单元被配置成检查所述TSV的电容分量以产生TSV异常信号。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑椿锡，李在眞，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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