本发明专利技术涉及低带隙有机半导体化合物、及包括其的晶体管和电子器件。所述有机半导体化合物包含由化学式1表示的结构单元。[化学式1]
【技术实现步骤摘要】
示例性实施方式涉及低带隙有机半导体化合物、包括其的晶体管和/或包括其的电子器件。
技术介绍
随着社会变得信息化，可需要开发克服传统的阴极射线管(CRT)的缺点(例如，重量重和体积大)的新的图像显示装置。因此，各种平板显示器例如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、等离子体显示面板(TOP)、表面传导电子发射体显示器(SED)等正引起关注。对于平板显示器的开关器件，广泛使用包括非晶硅作为半导体层的薄膜晶体管 (TFT)。由于非晶硅薄膜晶体管在掺杂状态下可具有良好的均匀性和高的电性质，而在非掺杂状态下具有良好的绝缘性质，其被广泛使用。然而，为了在基底上沉积常规的非晶硅薄膜晶体管，沉积工艺可在约300°C的相对高温下进行。因此，该工艺难以应用于低温基底(例如，聚合物基底等)以实现柔性显示器。已经提出了使用有机半导体材料的有机薄膜晶体管(OTFT)。所述有机薄膜晶体管通常包括基底、栅电极、绝缘层、源电极、漏电极和沟道区域。由于掩模沉积等，所述薄膜晶体管可分为其中在源电极和漏电极上形成沟道区域的底接触(BC)型和其中在沟道区域之下形成金属电极的顶接触(TC)型。填充在有机薄膜晶体管(OTFT)的沟道区域中的低分子或低聚物有机半导体材料可包括份菁、酞菁、二萘嵌苯、并五苯、C60、噻吩低聚物等。所述低分子或低聚物有机半导体材料可为主要根据真空工艺形成于沟道区域上的薄膜。另一方面，有机半导体聚合物材料具有以溶液方法例如印刷技术采用低成本的大面积加工的可加工性优点。
技术实现思路
至少一些示例性实施方式可提供使用溶液工艺制造的具有优异和/或改善的电荷迁移率的有机半导体化合物。其它示例性实施方式可提供包含所述有机半导体化合物的晶体管。进一步的示例性实施方式可提供包含所述有机半导体化合物的电子器件。根据一些示例性实施方式，有机半导体化合物包括由以下化学式I表示的结构单J Li ο权利要求1.有机半导体化合物，包含至少一个根据化学式I的结构单元， 2.权利要求1的有机半导体化合物，其中所述有机半导体化合物包含根据化学式2的结构单元，3.权利要求14.权利要求2 元选自根据化学式5.权利要求4的有机半导体化合物，其中在化学式I和2中，-Z-结构单元为根据化学式4的结构单元的至少一种，6.权利要求5的有机半导体化合物，包含根据化学式5的结构单元，7.权利要求5的有机半导体化合物，其中化学式1A的结构单元为化学式3-1、3-4和 3-7的至少一种，和所述-Z-结构单元为化学式 4-1、4-3、4-5、4-6、4-8、4-10、4-11 或 4_12 之一。8.权利要求1的有机半导体化合物，其中该包含根据化学式1的结构单元的有机半导 体化合物包含根据化学式6的结构单元的至少一种，9.权利要求I的有机半导体化合物，其中所述有机半导体化合物的数均分子量(Mn)为 5，000 200，000。10.权利要求I的有机半导体化合物，其中所述有机半导体化合物的重均分子量(Mw) 为 10，000 500，000。11.权利要求I的有机半导体化合物，其中所述有机半导体化合物为P型。12.晶体管，包含权利要求1-10任一项的的有机半导体化合物。13.权利要求12的晶体管，其中所述晶体管包括位于基底上的栅电极；彼此面对且限定沟道区域的源电极和漏电极；将所述源电极和所述漏电极与所述栅电极隔开的绝缘层；和在所述源电极和漏电极之间的沟道区域中的包括所述有机半导体化合物的有源层。14.电子器件，包含权利要求1-10任一项的有机半导体化合物。15.权利要求14的电子器件，其中所述电子器件为太阳能电池。全文摘要本专利技术涉及低带隙有机半导体化合物、及包括其的晶体管和电子器件。所述有机半导体化合物包含由化学式1表示的结构单元。文档编号H01L51/30GK102585173SQ20121000115公开日2012年7月18日 申请日期2012年1月4日 优先权日2011年1月4日专利技术者朴正一, 李芳璘, 郑钟元 申请人:三星电子株式会社本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李芳璘，朴正一，郑钟元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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