用于检查带隙半导体结构的方法和系统技术方案
【技术实现步骤摘要】
用于检查带隙半导体结构的方法和系统本申请是申请号为200680046029.7且专利技术名称为“用于检查带隙半导体结构的方法和系统”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术总体上涉及半导体测试，更具体来说，本专利技术涉及对间接带隙半导体材料的测试。
技术介绍
光电制造是一个正在快速扩张的市场，其典型的年增长率高于百分之三十（30%）。居主导地位的太阳能电池制造部分是基于多晶体晶片的技术。在该产业中，总生产量的很大一部分低于规范并且被报废，从而导致该产业每一年都遭受很大的财务损失。生产太阳能电池涉及到开始于半导体裸晶片（例如硅）的高度专业化的处理步骤序列。Bel’kov,VV等人的“Microwave-inducedpatternsinn-GaAsandtheirphotoluminescenceimaging（n-GaAs中的微波引发的模式及其光致发光成像）”（PhysicalReviewB，Vol.61，No.20，TheAmericanPhysicalSociety，2000年5月15日，pp.13698－13702）描述了一种对n-GaAs进行光致发光（P...
【技术保护点】
一种检查间接带隙半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：生成适合于在所述间接带隙半导体材料中引发光致发光的光；对所述光进行短通滤波，以便减少所述生成的光中的高于指定发射峰值的长波长光；对所述光进行准直；利用所述经准直、短通滤波的光基本上均匀地且同时地照射所述间接带隙半导体结构的大面积；以及利用能够同时捕获所述引发的光致发光的图像捕获设备来捕获由入射在所述间接带隙半导体结构的所述大面积上的所述基本上均匀的同时照射所同时引发的光致发光的图像。
【技术特征摘要】
2005.10.11 AU 20059055981.一种检查间接带隙半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：生成适合于在所述间接带隙半导体结构中引发光致发光的光；对所述光进行短通滤波，以便减少生成的光中的高于指定发射峰值的长波长光；对所述光进行准直；利用经准直的、短通滤波的光基本上均匀地且同时地照射所述间接带隙半导体结构的大面积；以及利用能够同时捕获所述引发的光致发光的图像捕获设备来捕获由入射在所述间接带隙半导体结构的所述大面积上的所述基本上均匀的同时照射所同时引发的光致发光的图像。2.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：对所述光致发光图像进行图像处理，以便利用在所述大面积内所引发的所述光致发光的空间变化来量化所述间接带隙半导体结构的空间分辨的指定电子特性。3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述方法适用于选自包括下述的组的间接带隙半导体结构：硅结构，裸晶片或部分处理过的晶片，裸绝缘体上硅（SOI）结构或部分处理过的绝缘体上硅（SOI）结构，完全制造的硅器件和太阳能电池。4.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述间接带隙半导体结构的受照射面积等于或大于1.0cm2。5.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中受照射面积对应于所述间接带隙半导体结构的一侧的整个表面。6.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中利用所述间接带隙半导体结构在室温下执行所述方法。7.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述生成的光的源被指向所述间接带隙半导体结构的一侧的表面以照射该表面，并且图像捕获设备被指向相同表面以从该表面捕获光致发光的所述图像，或者被指向所述间接带隙半导体结构的相对侧的表面以从所述相对侧的表面捕获光致发光的所述图像。8.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中与所述图像捕获设备相组合地使用一个或多个长通滤波器。9.根据权利要求2所述的方法，其中所述指定的电子特性包括下述中的一个或多个：局部缺陷密度，局部旁路，局部电流－电压特性，局部扩散长度，以及局部少数载流子寿命。10.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所生成的光是单色或者基本上单色的光。11.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述光由至少一个激光器、激光二极管、激光二极管阵列或者高功率发光二极管或者由发光二极管阵列生成。12.一种用于检查间接带隙半导体结构的系统，所述系统包括：光源，用于生成适合于在所述间接带隙半导体结构中引发光致发光的光；短通滤波...
【专利技术属性】
技术研发人员：T特鲁普克，RA巴多斯，
申请(专利权)人：BT成像股份有限公司，
类型：发明
国别省市：澳大利亚;AU
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