【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及利用发光成像的半导体测试，并且更具体地说涉及间接带隙半导体器件例如硅太阳能电池的测试。
技术介绍
太阳能电池的生产从裸露的半导体晶片例如硅晶片开始。在生产期间，通常通过丝网印刷或掩埋接触工艺将金属图案或栅格施加到晶片。所述金属图案或栅格的目的是收集响应于通过外部照明源对太阳能电池的半导体结构的激发而产生的电流。所述金属栅格通常包括电连接到一条或多条母线的多个指状物。因为效率原因，一方面，期望使太阳能电池的光收集面积最大。这规定了所述指状物应当薄、窄并且间隔宽以减小光收集面积的阴影。也因为效率原因，另一方面，期望金属指状物在最小电损耗的情况下传输电流。这规定了金属指状物应当厚、宽并且间隔紧密以使电阻损耗最小。因此太阳能电池设计的主要部分是实现这些对立要求之间的合适折衷。光电太阳能电池制造通常由未能满足所需效率规格的设备的显著废品率来表征，并且常规测试方法通常不能确定太阳能电池显示出低效率的原因。优良的光电设备的区域通过低的串联电阻横向并联连接。光电设备失效的一个特有模式是光电设备中的一些区域变得与所述光电设备中的其它区域电隔离或连接不良。例如，金...
【技术保护点】
一种用来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性的方法，所述方法包括步骤：从外部激发所述间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光；捕获响应于所述外部激发从所述间接带隙半导体器件发出的光的图像；以及根据对两个或更多个所述发光图像中的区域的相对强度的比较来确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性，其中从外部激发所述间接带隙半导体器件的所述步骤包括通过施加至少一个电激发信号到所述间接带隙半导体器件的接触端来电激发所述间接带隙半导体器件以电致发光的步骤，并且确定空间分辨特性的所述步骤包括以下步骤：比较至少两个电致发光图像中的对应区域的强度，所述电致发光图像中的每一个对应于电激发...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：T特鲁科，RA巴多斯，
申请(专利权)人：BT成像股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。