【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于对半导体设备进行光致发光分析的方法和系统,特别是在生产过程期间或之后对硅太阳能电池进行光致发光分析的方法和系统。相关申请本申请要求申请号为2010900018、2010903050和2010903975的澳大利亚在先专利申请的优先权,其内容此处作为引用并入。
技术介绍
本说明书中所提到的现在技术不应该被认为是已经被广泛地知晓,或不应该被认为构成本领域的公知常识的一部分。在公开号为WO2007/041758A1名称为“用于检测间接带隙半导体结构的方法和系统”的PCT申请中,提出了一种用于光致发光(PL)成像的装置和方法,此处作为引用并入,已经表明其用于硅材料和设备,特别是硅晶片太阳能电池快速表征的价值。如图1所示,光源6的超越带隙光8宽范围光子激发半导体样品4使其产生发光2并通过集光元件11由照相机或CCD阵列成像,优选地包括用于改善宽范围激发的均匀性的各向同性的光学元件11,以及照相机前方的用于阻挡激发光长通滤波器。该系统还包括一个或多个滤波器15来选择光子激发的波长范围。对于相对薄的样品还可以将激发光源6和照相机10设置在样品4的相对侧,如图2所示,其中样品本身可充当长通滤波器的作用。然而,若杂散激发光很多的话则还是需要长通滤波器14,从而将到达照相机的其他成分反射掉。无论哪种方式,利用公开号为WO2008/014537A1、WO2009/026661A1和WO2009/121133A1的已公 ...
【技术保护点】
一种用于对半导体材料的样品进行分析的系统,所述系统包括:传送机构,用于将所述样品传送至测量区;光源,用于照射所述样品的一块区域以产生光致发光;以及分析设备,用于在所述测量区内对所述样品进行至少一次光致发光分析,其中,所述测量区是未封闭的对视力无害的测量区。
【技术特征摘要】
2010.01.04 AU 2010900018;2010.07.09 AU 2010903050;1.一种用于对半导体材料的样品进行分析的系统,所述系统包括:
传送机构,用于将所述样品传送至测量区;
光源,用于照射所述样品的一块区域以产生光致发光;以及
分析设备,用于在所述测量区内对所述样品进行至少一次光致发光分析,其中,所述测
量区是未封闭的对视力无害的测量区。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于:所述光致发光由对视力无害照明器的照射
来产生。
3.一种在一系列半导体材料样品中分析半导体材料样品的方法,所述方法包括以下步
骤:
将所述样品传送至测量区;以及
在所述测量区内采集所述样品的光致发光数据,而同时移动该系列样品中的其他样
品。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:所述样品在光致发光数据采集期间保持移
动。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:所述样品在光致发光数据采集期间保持静
止。
6.根据权利要求4或5所述的方法,其特征在于:所述系列样品中的所述其他样品在光
致发光数据采集期间保持移动。
7.根据权利要求4或5所述的方法,其特征在于:所述系列样品中的所述其他样品在光
致发光数据采集期间保持静止。
8.一种用于分析半导体材料样品的方法,所述方法包括以下步骤:
通过交付传送机构将所述样品传送至与测量区相邻的点;
通过测量区传送机构将所述样品传送进入、通过并传送出所述测量区;
在所述测量区内采集来自所述样品的光致发光数据;以及
通过移出传送机构将所述样品传送出与测量区相邻的点,其中测量区传送机构是相对
于所述交付传送机构或所述移出传送机构独立可控的。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:测量区传送机构和/或样品在光致发光数
据采集期间静止。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:测量区传送机构和/或样品在光致发光数
据采集期间保持移动。
11.根据权利要求3-10任一所述的方法,其特征在于:所述光致发光由非激光光源的照
射来产生。
12.根据权利要求3-11任一所述的方法,其特征在于:所述光致发光由对视力无害的照
明器的照射来产生。
13.根据权利要求3-12任一所述的方法,其特征在于:所述光致发光由包括光脉冲的照
射来产生。
14.根据权利要求3-13任一所述的方法,其特征在于:对半导体材料样品的分析在关闭
的或封闭的腔室内进行。
15.根据权利要求3-13任一所述的方法,其特征在于:对半导体材料样品的分析在非关
闭的或至少部分开放但对视力无害的分析腔室内进行。
16.根据权利要求3-15任一所述的方法,其特征在于:所述样...
【专利技术属性】
技术研发人员:伊恩·安德鲁·麦克斯威尔,托斯顿·特鲁普克,罗伯特·安德鲁·巴多斯,肯尼斯·艾德蒙·阿内特,
申请(专利权)人:BT成像股份有限公司,
类型:发明
国别省市:澳大利亚;AU
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