三维电容结构制造技术

本发明专利技术公开了一种三维电容结构，以MIM三明治结构为基础，包含一个具有较高介电常数和良好高频特性的电容介质层，以及处于电介质上下层位置的金属电极层，上下金属电极层以横向电通量电容中共面相邻的叉指电极为原型（包括进一步的分形化设计），其横向相对位置保持不变，而纵向上以高K介质层为中心错开分布，位于上下两个不同的电极层，从而使得两电极兼具横向、纵向的耦合电通量，以改善电容的电学性能，有助于拓展电容设计及提高电容值可调范围，同时从本质上解决电容发展中电容密度、绝缘强度、集成化应用等相关问题；并且是以成熟的叉指结构为基础，制作工艺可实现性高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基本电容器件
，特别是指一种结合叉指电极结构的高K基三维电容结构。
技术介绍
电容作为三大无源器件之一，一直是各类电路的重要组成部分，电容研究也伴随着电路技术的进步而经久不衰。在现代电容发展中主要面临的问题有以下几个方面 一、电容密度问题 电容在电路中往往占用很大的空间，增大电容密度可以减少电容体积，促进电路小型化发展。在传统的MIM或MOS结构电容中，提高电容密度常常从减少电容电介质厚度入手，但由于漏电效应作用，容易导致电容绝缘强度降低，进而影响电容的能耗和高频工作特性。·因此，通过提高介质介电常数(K值)来增大电容密度的高K电介质研究在近年来受到了较多关注。二、电容绝缘强度 一定的绝缘强度是电容稳定工作的重要基础，在集成电路领域，SiO2栅介质无法延续摩尔定理正是因为减薄SiO2后绝缘强度下降所带来的严重漏电问题。而伴随着电路的小型化、集成化进程，电容的绝缘强度问题在很多领域都是不可回避的。三、电容的集成化 集成电容研究是无源集成领域的子问题，并且是实现电路无源集成的关键环节。低温共烧(LTCC)技术是近年来受关注较多的电容集成技术，但因为原料成本问本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维电容结构，其包括上金属电极层、下金属电极层及位于上金属电极层与下金属电极层之间的电容介质层；其特征在于：该电容介质层采用高介电常数和高频特性的材料；而上金属电极层与下金属电极层的金属电极为相互错开分布的叉指结构。

【技术特征摘要】
1.一种三维电容结构，其包括上金属电极层、下金属电极层及位于上金属电极层与下金属电极层之间的电容介质层；其特征在于该电容介质层采用高介电常数和高频特性的材料；而上金属电极层与下金属电极层的金属电极为相互错开分布的叉指结构。2.如权利要求I所述的三维电容结构，其特征在于所述的各叉指上进一步分形出一次叉指结构。3.如权利要求I所述的三维电容结构，其特征在于所述的各一次叉指...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐文彬，
申请(专利权)人：集美大学，
类型：发明
国别省市：