一种电感结构制造技术

本发明专利技术公开了一种电感结构，包括片上电感以及位于所述片上电感下方的屏蔽层，所述屏蔽层包括多屏蔽单元，所述屏蔽单元与所述片上电感所产生的涡电流方向正交，所述屏蔽单元由MOS晶体管或金属线或多晶硅组成，且所述多个屏蔽单元中至少一个由MOS晶体管组成，所述MOS晶体管的源极和漏极接地。本发明专利技术充分利用片上电感下方的面积以实现稳压晶体管的功能。

【技术实现步骤摘要】
一种电感结构
本专利技术涉及集成电路领域，特别涉及一种集成电路片上电感结构。
技术介绍
电感是射频收发机前端中的重要无源器件，射频前端收发机模块需要用到集成电感的主要有：电感结构、功率放大器、振荡器、上变频混频器等。电感在这些模块中均扮演了重要的作用。以电感结构为例，电感结构是射频收发机中的重要模块之一，主要用于通讯系统中将接收自天线的信号放大，便于后级的接收机电路处理。正是由于噪声放大器位于整个接收机紧邻天线的最先一级，它的特性直接影响着整个接收机接收信号的质量。对于电感结构来说，电感的性能直接决定了电感结构的增益、噪声、阻抗匹配等。通常来说，Q值是一个电感性能的重要指标之一，较高的Q值意味着电感的储能损耗更少，也就是说电感与衬底之间的隔离较好。另外，对一个电感的评估除了电感值、Q值等常规性能指标外，在射频系统中还包括电感对其他电路的影响，如果电感本身与周围电路的隔离较好，那么电感在工作中将会不影响其他电路的工作。由于硅集成电感的面积通常较大，如何在保证电感性能的同时，加强电感与衬底、电感与其他电路的隔离，对于应用于射频前端的模块来说有着重要的意义。图1所示为现有技术中电感结构的示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电感结构，包括片上电感以及位于所述片上电感下方的屏蔽层，所述屏蔽层包括多个屏蔽单元，所述多个屏蔽单元形成至少一个屏蔽区域，所述屏蔽单元与所述片上电感所产生的涡电流方向正交，其特征在于，所述屏蔽单元由MOS晶体管或金属线或多晶硅组成，且所述多个屏蔽单元中至少一个屏蔽单元由MOS晶体管组成，所述MOS晶体管的源极和漏极接地。

【技术特征摘要】
1.一种电感结构，包括片上电感以及位于所述片上电感下方的屏蔽层，所述屏蔽层包括多个屏蔽单元，所述多个屏蔽单元形成至少一个屏蔽区域，所述屏蔽单元与所述片上电感所产生的涡电流方向正交，其特征在于，所述屏蔽单元由MOS晶体管或金属线或多晶硅组成，且所述多个屏蔽单元中至少一个屏蔽单元由MOS晶体管组成，所述MOS晶体管的源极和漏极通过接触孔由金属连线引出接地。2.根据权利要求1所述的电感结构，其特征在于，所述MOS晶体管的栅极为多晶硅栅且接电源。3.根据权利要求2所述的电感结构，其特征在于，每个所述屏蔽单元均由一个MOS晶体管组成。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李琛，皮常明，温建新，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：