碳化硅半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够以少的工序数形成并且具备耐热性优良的温度检测元件的碳化硅（SiC）半导体装置。SiC半导体装置具备：半导体元件，形成在SiC基板（1）上；源极电极（15）以及栅极焊盘（16），使用在底面具备势垒金属（14）的布线层形成；测温电阻体（20），使用该布线层的势垒金属（14）的一部分形成。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具备温度检测元件的碳化硅半导体装置。
技术介绍
作为能够实现高耐压、低损失以及高耐热的下一代的开关元件，使用了碳化硅(SiC)的半导体元件被认为是有前途的，期待对变换器(inverter)等的功率半导体装置的应用。但是，在使用碳化硅形成的半导体装置(碳化硅半导体装置)中，留有很多应该解决的问题。已知例如具备在保护电路的工作控制中使用的温度检测元件的半导体装置，但是，在使用硅形成的以往的半导体装置(硅半导体装置)中，常常使用以多晶硅形成的二极 管(多晶硅二极管)作为温度检测元件。多晶硅二极管是在多晶硅膜中离子注入杂质(掺杂齐U)而形成的，但是，在硅半导体装置上形成多晶硅二极管的情况下，如果同时进行用于在硅基板上形成半导体元件的离子注入和用于形成多晶硅二极管的离子注入，则制造工序数的增加为最小限度即可。另一方面，在碳化硅半导体装置的制造中，在进行了用于形成半导体元件的离子注入之后，需要实施1500°C以上的热处理。因此，在碳化硅半导体装置上形成温度检测用的多晶硅二极管的情况下，需要在不同的工序中进行用于形成半导体元件的离子注入和用于形成多晶硅二极管的离子注入。即，与以往的硅半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：半导体元件，形成于碳化硅基板；布线层，配设在所述碳化硅基板上，在底面具备势垒金属；以及测温电阻体，使用所述布线层的所述势垒金属的一部分形成。

【技术特征摘要】
2011.07.25 JP 2011-1622041.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备 半导体元件，形成于碳化硅基板； 布线层，配设在所述碳化硅基板上，在底面具备势垒金属；以及 测温电阻体，使用所述布线层的所述势垒金属的一部分形成。2.根据权利要求I所述的碳化硅半导体装置，其特征在于， 所述测温电阻体在平面视图中配设在该碳化硅半导体装置的芯片中央部。3.根据权利要求I所述的碳化硅半导体装置，其特征在于， 所述测温电阻体在平面视图中配设在该碳化硅半导体装置的芯片外周部的不流过电流的区域。4.根据权利要求I所述的碳化硅半...

【专利技术属性】
技术研发人员：折附泰典，油谷直毅，樽井阳一郎，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
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