【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种芯片封装堆叠结构。
技术介绍
随着集成电路技术的发展，集成电路的封装技术也在不断的提高，其发展方向主要向轻、薄、短、小的多元化发展，并且对集成度的要求也越来越高；要求在给定的空间上集成更多的芯片装置。这种需求驱动了三维封装的不断发展，叠层芯片封装和封装堆叠(Ρ0Ρ，Package on Package)都属于三维封装技术。相对于叠层芯片来说，封装堆叠(POP)的优势在于每个组件在组装之前可以先进行测试，确保各分立器件的性能良好。这种优势有利于整个封装模块良率的提高。因此， 封装堆叠(POP)结构在手机等便携产品中受到越来越广泛的关注。请参考图I，图I为现有的芯片封装置层结构的不意图，如图I所不，现有的芯片封装叠层结构由两层封装堆叠形成，包括底部封装200，以及叠在所述底部封装200上的顶部封装100。其中，所述底部封装200包括底部衬底220，具有一正表面以及与所述正表面相对的底面；逻辑芯片210，固定于所述底部衬底220的正表面；具体地，所述逻辑芯片210通过粘合层固定于所述底部衬底220的正表面；并且所述逻辑芯片210通...
【技术保护点】
一种芯片封装堆叠结构，由两个或两个以上封装结构在竖直方向上堆叠形成，其特征在于，各封装结构之间设置有散热层。
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装堆叠结构，由两个或两个以上封装结构在竖直方向上堆叠形成，其特征在于，各封装结构之间设置有散热层。2.如权利要求I所述的芯片封装堆叠结构，其特征在于，所述散热层的热导率在IW/m · k以上。3.如权利要求2所述的芯片封装堆叠结构，其特征在于，所述散热层的材料为焊料、导热胶、高分子聚合物材料中的任一种。4.如权利要求3所述的芯片封装堆叠结构，其特征在于，所述散热层将上下相邻两个封装结构相连。5.如权利要求3所述的芯片封装堆叠结构，其特征在于，所述散热层位于两相邻封装结构中的下层封装结构上，且与两相邻封装结构中的上层封装结构之间存在一间距。6.如权利要求5所述的芯片封装堆叠结构，其特征在于，所述散热层的上表面形成V型沟槽。7.如权利要求6所述的芯片封装堆叠结构，其特征在于，所述散热层的上表面还涂有增大对流换热系数的涂层材料。8.如权利要求I至7任一项所述的芯片封装堆叠结构，其特征在于，该芯片封装堆叠结构由两个封装结构在竖直方向上堆叠形成。9.如权利要求8所述的芯片封装堆叠结构，其特征在于，该芯片封装堆叠结构具体包括底部封装结构以及堆叠在所述底部封装结构上的顶部...
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