半导体封装及其形成方法技术

本申请涉及半导体封装及其形成方法和包括该半导体封装的系统。一种半导体封装可以包括：基板，包括基板连接端子；至少一个半导体芯片，堆叠在基板上并具有芯片连接端子；第一绝缘层，至少覆盖基板的一部分和至少一个半导体芯片的一部分；和/或互连，穿透第一绝缘层以将基板连接端子连接到芯片连接端子。一种半导体封装可以包括：堆叠的半导体芯片，半导体芯片的边缘部分构成台阶结构，每个半导体芯片包括芯片连接端子；至少一个绝缘层，覆盖半导体芯片的至少边缘部分；和/或互连，穿透至少一个绝缘层以连接到每个半导体芯片的芯片连接端子。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装及其形成方法
示例实施方式涉及半导体封装及其形成方法。
技术介绍
随着电子产业的发展，日益需要电子元件的高功能、高速和小尺寸。为了适应该趋势，需要在单个半导体封装中安装各种类型的半导体芯片，而不是同一类型的半导体芯片。然而，由于半导体芯片的类型彼此不同，半导体芯片的尺寸和/或功能可以彼此不同。因此，会引起诸如半导体封装的水平尺寸增加或引线偏移（wiresweeping）之类的问题。此外，用作导线的金昂贵且引线工艺需要长的工艺时间。因此，半导体封装的生产率会降低。
技术实现思路
示例实施方式可以提供能够提高互连的自由度的半导体封装。示例实施方式还可以提供能够提高生产率的形成半导体封装的方法。在一些示例实施方式中，半导体封装可以包括：基板，包括基板连接端子；至少一个半导体芯片，堆叠在基板上并具有芯片连接端子；第一绝缘层，至少覆盖基板的一部分和至少一个半导体芯片的一部分；和/或互连，穿透第一绝缘层以将基板连接端子连接到芯片连接端子。在一些示例实施方式中，第一绝缘层可以包括聚合物层和分散在聚合物层中的含金属的粒子。在一些示例实施方式中，互连可以包括无电镀覆层。在一些示例实施方式中，第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，包括：基板，包括基板连接端子；至少一个半导体芯片，堆叠在所述基板上并具有芯片连接端子；第一绝缘层，至少覆盖所述基板的一部分和所述至少一个半导体芯片的一部分；和互连，穿透所述第一绝缘层以将所述基板连接端子连接到所述芯片连接端子。

【技术特征摘要】
2011.07.18 KR 10-2011-0071016;2012.03.23 KR 10-201.一种半导体封装，包括：基板，包括基板连接端子；多个半导体芯片，堆叠在所述基板上，其中所述多个半导体芯片的每个具有芯片连接端子；第一绝缘层，至少覆盖所述基板的一部分和所述多个半导体芯片的每个的一部分；和互连，穿透所述第一绝缘层以将所述多个半导体芯片的所述芯片连接端子彼此电连接，其中所述多个半导体芯片的边缘部分在所述基板上构成台阶结构，和其中所述第一绝缘层延伸以共形地覆盖所述多个半导体芯片的顶表面和侧壁以及所述基板的顶表面。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一绝缘层包括聚合物层和分散在所述聚合物层中的含金属的粒子。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述互连包括无电镀覆层。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一绝缘层包括暴露所述基板连接端子和所述芯片连接端子的孔并包括凹入区，且其中所述互连位于所述凹入区和所述孔中。5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中所述凹入区的侧壁和底部的表面粗糙度大于所述第一绝缘层的顶表面的表面粗糙度，且其中所述孔的内侧壁的表面粗糙度大于所述第一绝缘层的顶表面的表面粗糙度。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述多个半导体芯片的每个还包括：保护层，包括部分地暴露所述芯片连接端子的开口；和激光阻挡图案，位于所述开口中；其中所述激光阻挡图案与所述芯片连接端子接触。7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述激光阻挡图案包括金、镍和铅中至少之一。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述多个半导体芯片还包括在所述第一绝缘层下方的虚拟芯片连接端子，且其中所述虚拟芯片连接端子垂直地交叠所述互连并与所述互连绝缘。9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中向所述多个半导体芯片提供多个所述芯片连接端子，且其中所述第一绝缘层延伸以同时接触彼此相邻的所述芯片连接端子。10.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：第二绝缘层，覆盖与所述互连相邻的所述第一绝缘层、所述多个半导体芯片和所述基板。11.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述多个半导体芯片的端部构成台阶结构，所述芯片连接端子位于所述多个半导体芯片的所述端部上并被暴露，其中所述第一绝缘层覆盖所述多个半导体芯片的所述端部并暴露所述芯片连接端子，其中所述互连位于所述第一绝缘层上并将所述芯片连接端子彼此连接，且其中所述第二绝缘层共形地覆盖以下部分：没有被所述互连覆盖的所述第一绝缘层；所述多个半导体芯片的顶表面、侧壁和底表面；所述基板的顶表面。12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述第一绝缘层包括凹入区和暴露所述基板连接端子和所述芯片连接端子的孔，且其中所述第二绝缘层包括与所述凹入区的侧壁对齐的侧壁。13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述第二绝缘层的所述侧壁的表面粗糙度大于所述第二绝缘层的顶表面的表面粗糙度。14.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述第二绝缘层不包括含金属的粒子。15.根据权利要求14所述的半导体封装，其中所述第二绝缘层包括聚对二甲苯、特氟纶和环氧模塑化合物中的至少之一。16.一种半导体封装，包括：基板，包括基板连接端子；多个半导体芯片，堆叠在所述基板上，其中所述多个半导体芯片的每个具有芯片连接端子；第一绝缘层，至少覆盖所述基板的一部分；和互连，穿透所述第一绝缘层以电连接至少一个所述半导体芯片的所述芯片连接端子，其中所述基板连接端子包括第一基板连接端子和第二基板连接端子，其中所述芯片连接端子包括第一芯片连接端子和第二芯片连接端子，其中所述互连包括第一互连和第二互连，所述第一互连将所述第一基板连接端子连接到所述第一芯片连接端子，所述第二互连将所述第二基板连接端子连接到所述第二芯片连接端子，且其中所述第一绝缘层位于所述第一互连下方，且其中还包括位于所述第一互连与所述第二互连之间的第二绝缘层。17.一种半导体封装，包括：堆叠的半导体芯片，所述半导体芯片的边缘部分构成台阶结构，每个所述半导体芯片包括芯片连接端子；至少一个绝缘层，至少覆盖每个所述半导体芯片的所述边缘部分；和互连，穿透所述绝缘层以将每个所述半导体芯片的所述芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泳龙，金泰勋，张喆容，李种昊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：