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本发明提供一种能够以少的工序数形成并且具备耐热性优良的温度检测元件的碳化硅（SiC）半导体装置。SiC半导体装置具备：半导体元件，形成在SiC基板（1）上；源极电极（15）以及栅极焊盘（16），使用在底面具备势垒金属（14）的布线层形成；测...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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